时间：2025/8/6 2:16:28
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IXFQ72N20X3 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电流和高电压应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于电源转换、电机控制和功率因数校正等场景。其封装设计为 TO-247，方便在高功率环境中进行安装和散热。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds)：200V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：72A
导通电阻(Rds(on))：典型值 0.027Ω，最大值 0.033Ω
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247
功率耗散(Pd)：300W
IXFQ72N20X3 是一款高性能的功率 MOSFET，具有低导通电阻和高电流承载能力，能够在高电压和高电流条件下稳定工作。该器件采用了先进的平面技术，提供了卓越的开关特性和低损耗性能，有助于提高整体系统效率。其高栅极电荷（Qg）特性使其在高频开关应用中表现出色，同时具备较低的电磁干扰（EMI）和良好的热稳定性。
此外，IXFQ72N20X3 具有较高的雪崩能量承受能力，能够承受瞬时过电压，从而提高了系统的可靠性和耐久性。该 MOSFET 的封装设计为 TO-247，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。其材料符合 RoHS 标准，适合环保要求较高的应用。
该 MOSFET 广泛应用于多种高功率电子设备中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器、工业自动化控制系统、功率因数校正（PFC）电路以及可再生能源系统如太阳能逆变器等。其优异的电气性能和热管理能力使其成为高性能电源管理系统的理想选择。
IXFH72N20X2, IXFH72N20P, IXFQ60N20X3
