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PQ5RS1A 发布时间 时间:2025/8/28 3:09:54 查看 阅读:4

PQ5RS1A 是一款由 IXYS 公司生产的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)模块,广泛应用于高功率电子设备和工业控制电路中。该模块设计用于高效地处理大电流和高电压,具备优异的热管理和电气性能,适合用于电机控制、电源转换、逆变器、焊接设备等多种高功率应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET模块
  最大漏源电压(Vds):1200V
  最大漏极电流(Id):300A
  最大导通电阻(Rds(on)):1.75mΩ
  封装形式:模块封装
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  存储温度范围:-55°C ~ +150°C
  绝缘电压:2500Vrms
  安装方式:底板安装
  封装尺寸:140mm x 90mm x 7mm

特性

PQ5RS1A 模块采用先进的沟槽栅极技术,具备极低的导通电阻,从而降低了导通损耗,提高了系统效率。
  该模块内部集成了多个MOSFET芯片并联封装,提升了整体的电流承载能力,适用于需要高功率密度的设计。
  其模块封装设计具备良好的散热性能,能够有效将热量传导至散热器,提高了器件在高负载下的稳定性。
  此外,PQ5RS1A 还具备优异的短路耐受能力和过热保护特性,增强了器件在严苛工作环境下的可靠性。
  模块采用绝缘底板设计,具备较高的电气绝缘能力,适用于多种工业和电力电子系统设计。
  该器件符合 RoHS 环保标准,适用于无铅焊接工艺。

应用

PQ5RS1A 主要应用于高功率电源系统,如工业变频器、伺服驱动器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动汽车充电设备等。
  在电机控制领域,该模块可用于高效能的三相逆变器设计,实现对电机的精准控制。
  同时,它也可用于高频开关电源和DC-DC转换器,提升整体系统的能量转换效率。
  由于其优异的热管理和电气性能,PQ5RS1A 也常用于高要求的焊接设备、感应加热系统以及电能质量调节装置中。

替代型号

SKM300GB12T4, FF300R12KE3, 2MBI300XG-120

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PQ5RS1A参数

  • 标准包装50
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - 稳压器 - 线性
  • 系列-
  • 稳压器拓扑结构正,固定式
  • 输出电压5V
  • 输入电压最高 15V
  • 电压 - 压降(标准)-
  • 稳压器数量1
  • 电流 - 输出150mA
  • 电流 - 限制(最小)-
  • 工作温度-20°C ~ 80°C
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-4
  • 供应商设备封装TO-220-4
  • 包装管件
  • 其它名称425-1745-5