时间：2025/7/23 12:23:17
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IXFQ60N50P3是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流应用。该器件采用第三代技术，具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于工业电机控制、电源转换、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及电动汽车充电系统等应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：500V
最大漏极电流（Id）：60A
导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω（最大值）
栅极电荷（Qg）：140nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247AC
IXFQ60N50P3 MOSFET采用了先进的平面技术，提供了卓越的性能和可靠性。其主要特性包括：
1. **低导通电阻**：该器件的最大导通电阻仅为0.18Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
2. **高电压和高电流能力**：支持高达500V的漏源电压和60A的漏极电流，使其适用于高功率应用。
3. **良好的热稳定性**：采用高导热封装材料，确保在高负载条件下仍能保持稳定的温度性能。
4. **栅极电荷优化**：140nC的栅极电荷设计，减少了开关损耗并提高了响应速度。
5. **高可靠性**：器件在-55°C至+150°C的温度范围内均可稳定工作，适用于极端环境条件。
6. **快速恢复特性**：内置的快速恢复二极管（反向并联）提供了良好的反向恢复性能，降低了电磁干扰（EMI）和开关损耗。
IXFQ60N50P3广泛应用于需要高效功率转换和控制的领域，包括：
1. **工业电机控制**：用于电机驱动器和变频器中，实现对电机的高效控制。
2. **电源转换系统**：如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等，提升转换效率和功率密度。
3. **太阳能逆变器**：用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电，供家庭或电网使用。
4. **不间断电源（UPS）**：在UPS系统中用于实现电力中断时的无缝切换和持续供电。
5. **电动汽车充电系统**：用于车载充电器或充电桩，支持高效的电能转换与管理。
6. **家电控制**：例如用于高端家电中的功率控制模块，如变频空调、洗衣机等。
IXFN60N50P3, IRFP460LC, FCP50N50, STF50N50
