时间：2025/12/28 19:20:51
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20KPA48CA 是一种高压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高电压、高效率的功率转换应用。它具有较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的击穿电压，适合用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电机控制、逆变器以及高电压负载开关等场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：480V
最大栅源电压（Vgs）：±30V
最大连续漏极电流（Id）：20A（在25℃）
导通电阻（Rds(on)）：典型值0.22Ω（在Vgs=10V）
功耗（Pd）：100W
工作温度范围：-55℃～+150℃
封装形式：TO-247
20KPA48CA MOSFET具备一系列高性能特性，首先是其高耐压能力，漏源击穿电压可达480V，使其适用于高电压工作环境。其次，该器件的导通电阻较低，在Vgs=10V时仅为0.22Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
此外，20KPA48CA具有良好的热稳定性和较高的功率耗散能力，其TO-247封装形式有助于实现良好的散热性能。该MOSFET还具备较快的开关速度，适用于高频开关应用，从而减小外部滤波元件的体积，提高整体系统的功率密度。
器件的栅极驱动电压范围较宽，支持±30V的最大栅源电压，提高了设计的灵活性。此外，该器件具有较强的雪崩能量承受能力，提升了在高压冲击下的可靠性。
综上所述，20KPA48CA凭借其高耐压、低导通电阻、高功率处理能力及良好的热性能，成为多种高电压功率转换应用的理想选择。
20KPA48CA MOSFET广泛应用于多种高压功率电子系统中，例如开关电源（SMPS）、高压DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动控制电路、光伏逆变器、工业自动化设备以及高电压负载开关等。其高电压耐受能力和高效能特性也使其适合用于电动汽车充电系统和LED照明驱动电路。
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"IRF840",
"STP20N48",
"FQA20N48C"
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