时间：2025/8/6 10:35:22
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IXFQ50N60X是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，适用于高电压和高电流应用。该器件采用先进的平面技术，具有较低的导通电阻和高效的开关性能，使其在功率电子设备中表现出色。IXFQ50N60X通常用于电源转换器、电机驱动、不间断电源（UPS）和工业自动化等应用。
类型：MOSFET
极性：N沟道
漏源电压（Vds）：600V
连续漏电流（Id）：50A
导通电阻（Rds(on)）：0.17Ω
功率耗散（Ptot）：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247AC
栅极电荷（Qg）：110nC
输入电容（Ciss）：2000pF
开关时间（ton/off）：28ns/48ns
IXFQ50N60X具有多项优良特性，首先其高耐压（600V）和大电流（50A）能力使其非常适合用于高功率应用。其次，该器件的导通电阻较低，仅为0.17Ω，从而降低了导通损耗，提高了系统效率。
此外，IXFQ50N60X采用了先进的平面工艺技术，确保了优异的开关性能和稳定的热特性，使其在高频率开关应用中表现良好。其200W的功率耗散能力也保证了在高负载条件下的稳定运行。
该MOSFET还具备良好的热稳定性和过载保护能力，能够在极端工作条件下保持可靠运行。TO-247AC封装形式便于安装和散热管理，适用于多种功率电子设备的组装和应用。
IXFQ50N60X广泛应用于多种高功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）系统、工业自动化设备和电焊机等。由于其优异的电气性能和稳定的工作特性，该器件也常用于新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电设备中。
在电机控制应用中，IXFQ50N60X能够提供高效、稳定的开关控制，适用于交流和直流电机的调速驱动系统。在电源转换器中，该器件的高效开关特性可显著提高系统能效，并减少热量产生，从而提升整体系统可靠性。
IRF50N60A, FQA50N60, STF50N60DM2
