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IXFP8N85XM 发布时间 时间:2025/8/6 11:02:44 查看 阅读:13

IXFP8N85XM是一款由IXYS公司生产的高性能MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高功率和高频应用。该器件采用先进的技术设计,具有出色的导通性能和热管理能力,广泛用于电源转换、电机控制和工业自动化等领域。

参数

类型:MOSFET
  结构:N沟道
  漏源电压(Vds):850V
  漏极电流(Id):8A
  导通电阻(Rds(on)):1.2Ω
  栅极电压(Vgs):±20V
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装形式:TO-263(D2Pak)

特性

IXFP8N85XM具备多个显著的性能优势,首先,其高耐压能力(850V)使其适用于高压电源系统和工业设备的功率控制。其次,该MOSFET的导通电阻为1.2Ω,确保了较低的导通损耗,提高了系统的整体效率。此外,该器件的漏极电流能力为8A,能够在中等功率应用中提供稳定的性能。
  在热管理方面,IXFP8N85XM采用了优化的封装设计,具备良好的散热性能,能够在较高的环境温度下稳定工作。其TO-263(D2Pak)封装形式支持表面贴装,便于在PCB上安装和集成,同时提升了焊接的可靠性。
  这款MOSFET还具备较强的抗过载能力和快速开关特性,适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种高功率负载的控制。其±20V的栅极电压耐受能力也为设计者提供了更大的驱动灵活性,简化了驱动电路的设计。

应用

IXFP8N85XM主要应用于需要高压和中等功率控制的场合,例如工业电源、不间断电源(UPS)、电机驱动系统、功率因数校正(PFC)电路、DC-DC转换器以及各种自动化控制系统。其高可靠性和优良的电气性能也使其成为电动汽车充电设备、太阳能逆变器和家用电器中功率控制模块的理想选择。

替代型号

IXFH8N85A, IXFN8N85XM, IRFP850N

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IXFP8N85XM参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格300 : ¥18.39370管件
  • 系列HiPerFET?, Polar
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)850 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)850 毫欧 @ 4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)17 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)654 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)33W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220 隔离的标片
  • 封装/外壳TO-220-3 全封装,隔离接片