IXFP8N85XM是一款由IXYS公司生产的高性能MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高功率和高频应用。该器件采用先进的技术设计,具有出色的导通性能和热管理能力,广泛用于电源转换、电机控制和工业自动化等领域。
类型:MOSFET
结构:N沟道
漏源电压(Vds):850V
漏极电流(Id):8A
导通电阻(Rds(on)):1.2Ω
栅极电压(Vgs):±20V
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:TO-263(D2Pak)
IXFP8N85XM具备多个显著的性能优势,首先,其高耐压能力(850V)使其适用于高压电源系统和工业设备的功率控制。其次,该MOSFET的导通电阻为1.2Ω,确保了较低的导通损耗,提高了系统的整体效率。此外,该器件的漏极电流能力为8A,能够在中等功率应用中提供稳定的性能。
在热管理方面,IXFP8N85XM采用了优化的封装设计,具备良好的散热性能,能够在较高的环境温度下稳定工作。其TO-263(D2Pak)封装形式支持表面贴装,便于在PCB上安装和集成,同时提升了焊接的可靠性。
这款MOSFET还具备较强的抗过载能力和快速开关特性,适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种高功率负载的控制。其±20V的栅极电压耐受能力也为设计者提供了更大的驱动灵活性,简化了驱动电路的设计。
IXFP8N85XM主要应用于需要高压和中等功率控制的场合,例如工业电源、不间断电源(UPS)、电机驱动系统、功率因数校正(PFC)电路、DC-DC转换器以及各种自动化控制系统。其高可靠性和优良的电气性能也使其成为电动汽车充电设备、太阳能逆变器和家用电器中功率控制模块的理想选择。
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