型号：IXFP7N80PM
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：N沟道功率MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：800 V
　　最大漏极电流（ID）：7 A（连续）
　　脉冲漏极电流（IDM）：28 A
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　导通电阻（RDS(on) max）：1.5 Ω @ VGS = 10 V
　　阈值电压（VGS(th)）：4 V（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1300 pF @ VDS = 25 V
　　输出电容（Coss）：190 pF @ VDS = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：380 ns
　　最大功耗（PD）：200 W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

IXFP7N80PM具备出色的高压阻断能力和低导通损耗特性，是专为高效率电源转换系统设计的关键元件。其800V的漏源击穿电压使其能够安全地应用于高压直流母线环境中，例如在PFC（功率因数校正）级或后级DC-AC逆变电路中，有效防止因电压波动导致的器件损坏。得益于Superjunction结构，该MOSFET在相同电压等级下实现了比传统平面型MOSFET更低的导通电阻，从而减少了I2R损耗，提高了系统能效。这对于追求高功率密度和低热耗的设计尤为重要。
　　该器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为65nC，这意味着驱动电路所需的能量更少，有利于降低驱动损耗并简化栅极驱动器设计。同时，其米勒电荷（Qsw）也经过优化，减少了开关过程中因寄生电容充放电引起的延迟和振荡，提升了高频开关性能。此外，输出电容（Coss）较小，有助于减少关断时的能量损耗，进一步提升转换效率。
　　IXFP7N80PM还表现出优异的开关速度和可控性，在硬开关和准谐振拓扑中均能稳定运行。其反向恢复时间较长，但由于体二极管并非主要工作部分，通常在桥式电路中需搭配快速恢复二极管使用。该器件具备较强的雪崩能量承受能力，能够在突发过压或负载突变情况下保护自身不被击穿，提升了系统的可靠性与耐用性。TO-247封装不仅提供良好的机械强度，还具备优良的热传导性能，允许通过外部散热器将热量迅速导出，维持较低的工作结温。综合来看，IXFP7N80PM在高压、中功率应用场景中展现出卓越的技术优势，是工业级电源设计的理想选择。

IXFP7N80PM广泛应用于多种高电压、中等功率的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），特别是在大功率AC-DC转换器中作为主开关器件，用于实现高效的能量转换。在功率因数校正（PFC）电路中，它常被用作升压斩波器的开关元件，以满足IEC 61000-3-2等谐波标准要求。此外，该器件适用于不间断电源（UPS）系统中的DC-AC逆变级，将电池或整流后的直流电转换为稳定的交流输出，保障关键设备供电连续性。
　　在太阳能光伏逆变器中，IXFP7N80PM可用于单相或多相逆变拓扑，将太阳能板产生的直流电高效转化为可供电网或本地负载使用的交流电。其高耐压特性适应于高串联回路的光伏阵列输出电压。该器件同样适用于工业电机驱动系统，尤其是在中小功率变频器中执行直流到交流的转换任务。感应加热设备如电磁炉、金属熔炼装置也常采用此类MOSFET进行高频振荡控制。
　　其他应用还包括高压DC-DC转换器、电焊机电源、激光电源模块以及各类工业电源模块。由于其具备良好的热稳定性和抗干扰能力，IXFP7N80PM也可用于恶劣环境下的户外电力设备。总之，凡涉及800V以下高压开关操作且对效率与可靠性有较高要求的应用场合，IXFP7N80PM均是一个值得信赖的选择。

IPP70R800CPA
　　STP8NK80ZFP
　　FQP7N80H