您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXFK150N30X3

IXFK150N30X3 发布时间 时间:2025/8/5 21:56:47 查看 阅读:27

IXFK150N30X3 是一款由 Littelfuse(前身为 IXYS)制造的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率功率转换应用而设计,广泛用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、逆变器和电机控制电路中。采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,IXFK150N30X3 在导通电阻(Rds(on))和开关损耗之间实现了良好的平衡。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏极电流(ID):150A(Tc)
  漏极-源极电压(VDS):300V
  栅极-源极电压(VGS):±20V
  导通电阻(Rds(on)):最大 23mΩ(在 VGS=10V 时)
  功耗(PD):400W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247

特性

IXFK150N30X3 的主要特性之一是其低导通电阻,这有助于降低导通损耗并提高系统效率。其 Rds(on) 最大值为 23mΩ,在高电流负载下仍能保持较低的功率损耗。此外,该器件具有较高的耐压能力,VDS 可达 300V,适用于中高功率应用。
  该 MOSFET 的封装形式为 TO-247,具备良好的散热性能,适用于高功率密度设计。其栅极驱动电压范围为 ±20V,通常使用 +10V 至 +15V 的栅极电压进行驱动,以确保充分导通并降低开关损耗。
  该器件还具备优异的热稳定性和抗雪崩能力,能够在高应力工作条件下保持可靠性。其工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C,适用于工业级和高温环境下的应用。
  在动态性能方面,IXFK150N30X3 具有快速的开关速度,能够有效降低开关损耗,并提高转换效率。其输入电容(Ciss)和输出电容(Coss)经过优化,以适应高频开关操作,同时保持良好的稳定性和抗干扰能力。

应用

IXFK150N30X3 主要应用于高功率电源转换系统,如工业开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电机驱动器和电动汽车充电系统。由于其高电流承载能力和低导通电阻,该器件在 DC-DC 升压/降压转换器中也表现出色,能够显著提高转换效率。
  在工业自动化和电机控制领域,IXFK150N30X3 可用于 H 桥拓扑结构中的功率开关,实现高效、可靠的电机控制。其高耐压和高功率处理能力也使其适用于感应加热和电焊设备中的高频逆变电路。
  此外,该 MOSFET 还适用于电池管理系统(BMS)和储能系统中的功率开关控制,确保能量的高效传输和管理。

替代型号

IXFN150N30X3, IXFH150N30X3

IXFK150N30X3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXFK150N30X3参数

  • 现有数量100现货
  • 价格1 : ¥163.13000管件
  • 系列HiPerFET?, Ultra X3
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)300 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)150A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)8.3 毫欧 @ 75A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 4mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)177 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)13100 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)890W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-264
  • 封装/外壳TO-264-3,TO-264AA