时间：2025/8/6 10:27:41
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IXFP60N25X3是一款由IXYS公司制造的高功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电力电子领域，如电源转换器、电机驱动和不间断电源系统（UPS）。该器件采用TO-247封装，具备高耐压、低导通电阻以及良好的热稳定性，适合高电流和高频率工作环境。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：250V
漏极电流（Id）：60A
导通电阻（Rds(on)）：最大值为0.037Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
栅极电荷（Qg）：180nC
输入电容（Ciss）：2200pF
封装类型：TO-247
IXFP60N25X3具有多种优良特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）减少了导通损耗，提高了系统效率。其次，该MOSFET具有高电流处理能力，可支持高达60A的漏极电流，适用于高功率密度设计。此外，其250V的漏源电压使其适用于多种中高功率应用。器件的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能。同时，IXFP60N25X3具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，增强了系统的可靠性。
在封装方面，TO-247封装提供了良好的散热性能，有助于提高器件的长期稳定性。此外，该MOSFET具有较高的雪崩能量承受能力，能够在极端条件下提供额外的保护。这些特性使IXFP60N25X3成为电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及工业自动化设备等应用中的理想选择。
IXFP60N25X3主要应用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、电池充电器以及不间断电源系统（UPS）。由于其高电流容量和低导通电阻，该器件特别适合用于需要高效率和紧凑设计的电源系统。此外，在工业控制和自动化设备中，IXFP60N25X3可用于高频开关应用，以提高系统响应速度和整体性能。其优异的热稳定性和耐压能力也使其适用于恶劣环境下的长期运行。
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"IXFH60N25X3",
"IRFP4668",
"STP60N250K",
"SiHPX60N250LD"
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