时间：2025/12/26 19:36:16
阅读：23
IXFP3N50PM是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的高压、高速功率MOSFET晶体管，专为高效率开关电源和功率转换应用而设计。该器件采用先进的沟槽技术制造，具备低导通电阻和优异的开关性能，适用于需要高电压耐受能力及稳定热性能的系统。作为N沟道增强型场效应晶体管，IXFP3N50PM能够在高达500V的漏源电压下工作，适合工业控制、电源适配器、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动等应用场景。其封装形式为TO-220FP，具有良好的散热性能，可在较宽的温度范围内可靠运行。此外，该器件还具备出色的抗雪崩能力和耐用性，能够在瞬态过压或电流冲击条件下保持稳定，减少系统故障风险。由于其高度集成的设计和可靠的电气特性，IXFP3N50PM在现代电力电子设备中被广泛用作主开关元件。该芯片符合RoHS环保标准，并经过严格的质量测试，确保长期使用的可靠性。
型号：IXFP3N50PM
制造商：Infineon Technologies
器件类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：500 V
最大栅源电压（Vgs）：±30 V
连续漏极电流（Id）：3 A（Tc=25°C）
脉冲漏极电流（Idm）：12 A
功耗（Ptot）：60 W
导通电阻Rds(on)：典型值2.2 Ω（Vgs=10V, Id=1.5A）
阈值电压（Vth）：2.0 V 至 4.0 V
输入电容（Ciss）：典型值800 pF（Vds=250V, Vgs=0V, f=1MHz）
输出电容（Coss）：典型值330 pF
反向恢复时间（trr）：典型值75 ns
工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
存储温度范围：-55 °C 至 +150 °C
封装类型：TO-220FP
IXFP3N50PM具备多项关键特性，使其在高电压开关应用中表现出色。首先，其500V的高漏源击穿电压使其能够安全地应用于各种离线式开关电源系统，例如AC-DC转换器和高压DC-DC变换器，有效防止因电压瞬变导致的器件损坏。其次，该MOSFET采用了英飞凌成熟的沟槽栅极技术，显著降低了导通电阻Rds(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。尽管其额定电流为3A，但在良好散热条件下仍可支持短时过载运行，适用于间歇性高负载场景。
该器件具有快速的开关速度，得益于较低的栅极电荷（Qg）和输入/输出电容，能够实现高频操作而不会显著增加开关损耗，这在高频电源设计中尤为重要。同时，其反向恢复时间较短，有助于降低与体二极管相关的能量损耗，尤其是在硬开关拓扑结构中表现更优。此外，IXFP3N50PM内置的体二极管具备一定的电流承载能力，可在续流路径中发挥作用，提升电路鲁棒性。
在可靠性方面，该MOSFET具备优良的热稳定性，TO-220FP封装提供了良好的热传导路径，便于安装散热器以延长器件寿命。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）确保了在极端环境温度下的稳定运行，适用于工业级和严苛环境应用。器件还具备较强的抗雪崩能力，能够在非钳位电感开关（UIS）事件中承受一定的能量冲击而不发生永久性损坏，提高了系统的安全裕度。
最后，IXFP3N50PM符合RoHS指令要求，不含铅和有害物质，支持绿色环保制造。其引脚兼容标准TO-220封装，便于在现有设计中进行替换或升级，降低了重新布局PCB的成本和复杂度。综合来看，该器件结合了高性能、高可靠性和易用性，是中等功率开关应用的理想选择。
IXFP3N50PM广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适用于需要高电压阻断能力和高效开关特性的场合。常见应用包括开关模式电源（SMPS），如台式电脑电源、工业电源模块和电信电源系统，在这些系统中，它通常作为主开关管用于反激式或正激式转换器拓扑。此外，该器件也适用于DC-DC升压或降压转换器，特别是在输入电压较高的工业设备中，能够有效实现电压调节与能量传输。
在逆变器系统中，IXFP3N50PM可用于小功率太阳能逆变器或UPS不间断电源中的DC-AC转换阶段，提供稳定的高频开关功能。其快速开关能力和耐压特性有助于提高逆变效率并减小滤波元件体积。同时，该MOSFET也可用于电机驱动电路，特别是小型交流或直流电机的控制模块中，作为功率开关实现PWM调速控制。
其他应用还包括电子镇流器、充电器（如电池充电站、电动车充电桩辅助电源）、电焊机电源模块以及感应加热设备中的功率级电路。由于其具备良好的抗干扰能力和热稳定性，IXFP3N50PM也适合部署在电磁干扰较强或温差较大的工业环境中。总之，凡涉及500V以内高压开关操作且对效率和可靠性有较高要求的应用场景，均可考虑使用该器件。
SPW3N50P, STP3N50M, 2SK3569, FQP3N50, IRFP3N50U
