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IXFP270N06T3 发布时间 时间:2025/8/6 2:36:10 查看 阅读:28

IXFP270N06T3是一款由Infineon Technologies(英飞凌)制造的功率MOSFET晶体管。它属于OptiMOS?系列,专为高效能和高可靠性应用而设计,常用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和工业自动化等领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:270A
  最大漏-源极电压:60V
  导通电阻(RDS(on)):0.0038Ω
  最大功耗:400W
  封装类型:TO-263
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

IXFP270N06T3具有极低的导通电阻(RDS(on)),这使其在高电流应用中能够显著降低功率损耗并提高效率。
  该器件采用了先进的沟槽技术,提供了优异的热稳定性和高耐用性,能够在严苛的环境条件下保持性能稳定。
  其高电流容量和低导通电阻的结合,使其非常适合用于高功率密度设计,如服务器电源、电信设备和电动汽车充电系统。
  此外,IXFP270N06T3还具有快速开关特性,能够有效减少开关损耗,提高系统的整体能效。
  器件的封装设计优化了热管理和电气性能,确保在高负载下依然保持稳定运行。

应用

IXFP270N06T3广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 电源供应器:用于高效能开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中,提供稳定的电压转换和高效能管理。
  2. 工业自动化:在工业电机控制和变频驱动系统中作为功率开关元件使用。
  3. 汽车电子:用于电动汽车(EV)充电系统、电池管理系统(BMS)以及车载电源转换设备。
  4. 通信设备:应用于电信基础设施中的电源模块,确保设备的高可靠性和长寿命运行。
  5. 可再生能源:在太阳能逆变器和储能系统中用于高效的能量转换和管理。

替代型号

IPW60R036C6, STD270N6F7, IRFB4110

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IXFP270N06T3参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格50 : ¥41.94680管件
  • 系列HiperFET?, TrenchT3?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)270A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.1 毫欧 @ 100A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)200 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)12600 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)480W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220-3
  • 封装/外壳TO-220-3