时间：2025/8/5 17:36:54
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IXFP26N65X2 是一款由 IXYS 公司制造的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高电压和高功率应用。该器件采用 TO-247 封装形式，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于电源转换器、电机控制、逆变器和各种工业电子设备。该 MOSFET 的额定电压为 650V，最大电流可达 26A，适用于需要高效能和高可靠性的应用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：650V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：26A
导通电阻（Rds(on)）：0.23Ω
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
IXFP26N65X2 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)）为 0.23Ω，这使得在高电流条件下能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有快速开关特性，能够实现高频操作，适用于高效的电源转换和功率控制应用。
该 MOSFET 采用先进的工艺技术制造，确保了其在高温环境下的稳定性和可靠性。其 TO-247 封装形式提供了良好的散热性能，有助于提高器件在高功率应用中的稳定性。
IXFP26N65X2 还具备较高的栅极阈值电压，增强了抗噪声干扰能力，同时具备较低的跨导（Transconductance），使得器件在开关过程中更加稳定，减少了寄生效应的影响。
此外，该器件在设计上考虑了雪崩能量承受能力，能够在瞬态条件下提供更高的安全性和耐用性，适用于要求高可靠性的工业和电源应用。
IXFP26N65X2 被广泛应用于多种高功率和高电压场景，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、电机驱动器、逆变器和工业自动化设备。其高效能和高可靠性的特性使其成为电力电子系统中的关键元件。
在开关电源中，IXFP26N65X2 能够提供高效的功率转换，降低损耗，提高整体系统效率。在电机控制应用中，该器件能够支持快速开关操作，实现精确的速度和扭矩控制。
此外，IXFP26N65X2 还可用于 UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、电动车辆充电系统等新兴应用领域，满足高功率密度和高效率的设计需求。
IXFH26N65X2, IRFP4668, STW26NM60ND
