时间：2025/7/10 20:39:04
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GMC04CG6R2D50NT是一款高可靠性、低损耗的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和逆变器等场景。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备优异的导通电阻特性和快速的开关性能，从而实现高效的电力转换。同时，其封装设计能够有效提升散热性能，确保在高功率应用中的稳定性。
型号：GMC04CG6R2D50NT
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：4mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总栅极电荷(Qg)：135nC
开关时间：开启延迟时间(td(on))为85ns，关断延迟时间(td(off))为70ns
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247
这款功率MOSFET具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，能够在大电流下保持高效运行。
2. 快速开关能力，有助于降低开关损耗并支持高频操作。
3. 高耐压能力，适合于高压工业及汽车应用环境。
4. 内置雪崩击穿保护功能，增强了器件的鲁棒性。
5. 优化的热设计，使得芯片能够在高温环境下长期稳定工作。
6. 符合RoHS标准，环保且适用于多种现代电子设备的要求。
7. 紧凑型封装便于安装和集成到各种功率模块中。
GMC04CG6R2D50NT广泛应用于以下几个领域：
1. 开关电源(SMPS)，包括AC-DC适配器和工业电源。
2. 电机驱动控制，如电动车窗、座椅调节系统以及家用电器中的无刷直流电机驱动。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电系统。
4. 工业自动化设备中的功率转换和控制电路。
5. 汽车电子系统的负载切换和保护电路。
6. UPS不间断电源和电池管理系统(BMS)中的关键功率组件。
GMC04CG6R2D50N、IRFP260N、STP50NF06L
