时间：2025/8/6 4:57:31
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IXFP220N06T3 是英飞凌（Infineon）公司推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术（Trench Technology），具有低导通电阻和高效率的特性。该器件专为高电流、高频率开关应用设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及汽车电子系统等领域。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：220A
最大漏源电压（VDS）：60V
导通电阻（RDS(on)）：最大值1.65mΩ（在VGS=10V）
栅极电压范围：-20V至+20V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-263（表面贴装）
IXFP220N06T3 采用英飞凌的OptiMOS?技术，提供极低的导通电阻（RDS(on)），从而显著降低导通损耗，提高系统效率。
其高电流处理能力使其非常适合用于大功率应用，如服务器电源、电信设备、工业自动化和电动汽车充电系统。
该器件具有优异的热性能，能够有效散热，确保在高负载条件下的稳定运行。
此外，IXFP220N06T3具备良好的雪崩能量耐受能力，增强了器件在高应力条件下的可靠性。
该MOSFET支持高频开关操作，有助于减小外部滤波元件的尺寸，提高整体设计的紧凑性。
封装形式为TO-263，便于PCB布局和自动化装配，适合表面贴装工艺。
IXFP220N06T3 主要应用于高功率密度电源系统，如DC-DC转换器、负载点电源（POL）、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备。
它也广泛用于汽车电子领域，如车载充电器（OBC）、DC-AC逆变器和电动助力转向系统（EPS）。
由于其卓越的导通性能和热管理能力，该器件还适用于需要高效率和高可靠性的高端服务器和通信设备电源系统。
IPB220N06S4-03, IXTK220N06T4, IRLB8726PBF
