时间：2025/8/6 11:46:04
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IXFP20N85X是一款N沟道功率MOSFET，由IXYS公司制造，适用于高电压和高电流的应用场景。该器件具有优异的导通和开关性能，适用于工业电源、电机控制、电源管理和电池充电器等多种应用。IXFP20N85X采用TO-247封装，提供良好的散热性能，适用于需要高效能和可靠性的系统。
类型: N沟道
漏源电压(Vds): 850V
漏极电流(Id): 20A
功率耗散(Pd): 300W
导通电阻(Rds(on)): 最大0.26Ω
工作温度范围: -55°C至150°C
栅极电荷(Qg): 90nC
输入电容(Ciss): 1900pF
封装形式: TO-247
IXFP20N85X具备低导通电阻和出色的开关性能，这使得它在高电压应用中能够有效降低导通损耗并提高系统效率。其850V的漏源电压额定值使其适用于高电压电源转换器和电机驱动器。该MOSFET具有高电流处理能力，可支持20A的连续漏极电流，确保在高负载条件下仍能稳定运行。此外，该器件采用了先进的平面技术，提供了更高的可靠性和耐用性，适用于严苛的工作环境。
IXFP20N85X的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。同时，其输入电容较低，有助于降低高频开关时的驱动损耗。TO-247封装设计提供了良好的散热能力，确保在高功率运行时仍能保持较低的工作温度，延长器件寿命。
IXFP20N85X广泛应用于工业电源、开关电源(SMPS)、UPS系统、电机控制、变频器、电池充电器和太阳能逆变器等领域。其高电压和高电流能力使其成为高功率密度设计的理想选择。此外，该MOSFET也适用于需要高效能和高可靠性的电力电子设备，如医疗设备电源和测试设备。
IXFP24N85X, IXFP20N80X, IRFP460LC
