容量：2GB
　　组织结构：x8位
　　电压：1.1V
　　封装类型：FBGA
　　封装尺寸：96-ball
　　数据速率：3200Mbps
　　工作温度：-40°C至85°C
　　接口标准：LPDDR4

HT5Q2G83GFR-RDC 的主要特性包括低功耗设计和高性能数据传输能力，适合对电池续航能力要求较高的移动设备。该芯片支持多种低功耗模式，包括自刷新模式和深度掉电模式，以延长设备的电池寿命。
　　此外，该芯片采用了先进的DRAM制造工艺，提供了高可靠性和稳定性，适用于严苛的工作环境。其工作温度范围广泛（-40°C至85°C），能够满足工业级应用的需求。
　　在接口方面，HT5Q2G83GFR-RDC 符合LPDDR4标准，支持高达3200Mbps的数据速率，提供快速的数据访问速度，提升系统的整体性能。其FBGA封装形式具有较小的封装尺寸，有助于减少PCB布局空间，提高设备的集成度。
　　这款DRAM芯片还支持多种功能，如预取架构、双时钟数据选通（DQS）信号和双向数据选通，进一步优化了数据传输效率和时序控制精度。

HT5Q2G83GFR-RDC 主要应用于对内存性能和功耗要求较高的电子设备，包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及高性能嵌入式系统。其低功耗特性使其成为移动设备的理想选择，有助于延长电池续航时间。
　　在消费电子领域，该芯片可用于高端智能手机和平板电脑，提供快速的数据处理能力，支持复杂的多任务操作和高性能应用程序的运行。
　　在工业和嵌入式应用中，HT5Q2G83GFR-RDC 可用于工业控制设备、医疗电子设备、车载导航系统和物联网设备。其宽温度范围和高可靠性使其能够在严苛的工业环境中稳定运行。
　　此外，该芯片也可用于高性能计算（HPC）设备、边缘计算设备和智能终端设备，满足对内存带宽和存储容量的高要求。

MT51K256A256A1EA-10E, K4FAB6D7SC-BJCU4