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IXFP16N50P3 发布时间 时间:2025/8/6 6:51:18 查看 阅读:10

IXFP16N50P3是一款由Infineon Technologies(英飞凌科技)制造的N沟道功率MOSFET。该器件专为高电压、高电流的应用而设计,具备低导通电阻、高开关速度以及良好的热性能。IXFP16N50P3采用了先进的功率MOSFET技术,具有较高的可靠性和效率,适用于电源转换、电机控制、工业自动化、太阳能逆变器等要求较高的应用环境。其封装形式为TO-247,便于散热并适合高功率密度的设计。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电压(VDSS):500V
  最大连续漏极电流(ID):16A
  导通电阻(RDS(on)):0.32Ω(最大值)
  功率耗散(PD):170W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  栅极电荷(Qg):35nC
  输入电容(Ciss):1100pF
  封装类型:TO-247

特性

IXFP16N50P3的主要特性之一是其高电压耐受能力,最大漏极电压达到500V,使其适用于高压电源系统。此外,该MOSFET的导通电阻较低,最大值为0.32Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率。
  该器件具有较高的连续漏极电流能力,最大为16A,能够支持中高功率的应用需求。其高功率耗散能力(170W)结合TO-247封装的良好散热性能,使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。
  IXFP16N50P3的开关特性表现优异,栅极电荷仅为35nC,有助于减少开关损耗并提高响应速度,适用于高频开关应用。输入电容为1100pF,对驱动电路的要求较低,易于集成到各种电路设计中。
  此外,该MOSFET具有宽广的工作温度范围(-55°C至150°C),适应各种环境条件下的应用需求,确保在极端温度下仍能稳定工作。其高可靠性和耐用性也使其在工业和自动化控制系统中具有广泛的应用前景。

应用

IXFP16N50P3广泛应用于各种高电压和高电流的场景中。常见的应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、UPS(不间断电源)、电机驱动器、工业自动化控制系统以及太阳能逆变器等。
  在电源管理领域,该MOSFET可以用于构建高效的电源转换系统,如AC-DC转换器和DC-DC降压/升压电路。其高电压耐受能力和低导通电阻使其成为高效率电源设计的理想选择。
  在电机控制和驱动系统中,IXFP16N50P3可用于构建H桥电路或PWM控制电路,提供快速响应和稳定的功率输出。其高电流能力和良好的热性能使其适用于需要频繁启停或重载运行的电机控制场景。
  太阳能逆变器和储能系统中也常使用IXFP16N50P3,用于实现高效的直流到交流转换。其高可靠性和耐久性确保在户外或恶劣环境条件下仍能稳定运行,提升系统的整体效率和寿命。
  此外,该器件还可用于焊接设备、充电器、LED照明驱动等应用中,满足不同领域对高功率、高效率和高可靠性的需求。

替代型号

STP16NF50, IRFP460, FDPF16N50, IXFP16N50P3ST

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IXFP16N50P3参数

  • 现有数量88现货
  • 价格1 : ¥43.80000管件
  • 系列HiPerFET?, Polar3?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)16A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)360 毫欧 @ 8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 2.5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)29 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1515 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)330W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220-3
  • 封装/外壳TO-220-3