型号：IXFP16N50P
　　制造商：IXYS
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　漏极电流（Id）@25°C：16A
　　脉冲漏极电流（Idm）：64A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：0.33Ω（最大值）
　　阈值电压（Vgs(th)）：4.0V～6.0V
　　输入电容（Ciss）：1300pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：290pF @ Vds=25V
　　反向传输电容（Crss）：60pF @ Vds=25V
　　总栅极电荷（Qg）：85nC @ Vgs=10V
　　开启延迟时间（td(on)）：45ns
　　上升时间（tr）：100ns
　　关断延迟时间（td(off)）：110ns
　　下降时间（tf）：65ns
　　最大工作结温（Tj）：150°C
　　封装类型：TO-247

IXFP16N50P具备多项优异的电气与热力学特性，使其成为高功率开关应用中的理想选择。首先，其500V的高漏源击穿电压支持在高压直流母线系统中安全运行，适用于如太阳能逆变器或工业电源等场景。其次，该器件拥有相对较低的导通电阻（Rds(on)）——在Vgs=10V时典型值仅为0.33Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。同时，尽管是高电压器件，其栅极电荷（Qg）仅为85nC，有助于减少驱动电路的能量消耗，并允许更高的开关频率操作，从而减小磁性元件体积，提升功率密度。
　　该MOSFET采用坚固的平面垂直结构制造，确保了良好的均匀性和可靠性。其反向传输电容（Crss）低至60pF，在高频开关过程中有效抑制了米勒效应引起的误触发风险，增强了系统的稳定性。此外，输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）经过优化设计，使得器件在硬开关和软开关拓扑中均表现出良好的动态响应特性。
　　另一个关键优势是其出色的热性能。TO-247封装提供了较大的表面积和良好的热导路径，结合150°C的最大结温，使器件能够在高温环境下持续工作。内部芯片设计还集成了高效的体二极管，具备快速恢复能力，典型反向恢复时间（trr）较短，可在桥式电路或感性负载切换时有效防止电压尖峰，降低电磁干扰（EMI）。
　　此外，IXFP16N50P通过了严格的雪崩测试，具备单脉冲和重复脉冲雪崩能量耐受能力，能够在突发过压或负载突变情况下保持不损坏，极大提升了系统鲁棒性。这种耐用性特别适合用于电动工具驱动器、焊接设备和电机控制器等恶劣工况环境。综合来看，IXFP16N50P在性能、可靠性和热管理方面达到了良好平衡，是一款适用于多种高要求电力电子系统的高性能功率MOSFET。

IXFP16N50P广泛应用于各类高功率、高效率的电力电子设备中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），尤其是在AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关器件使用，其高电压额定值和低导通损耗可显著提高电源效率并减少发热。在逆变器系统中，例如光伏并网逆变器或UPS不间断电源，该MOSFET可用于DC-AC转换级，支持高频切换以实现紧凑化设计和高效能量转换。
　　在工业电机驱动领域，IXFP16N50P常被用于H桥或半桥拓扑结构中，控制交流或直流电机的速度与方向，其快速开关能力和良好的热稳定性保证了长时间运行的可靠性。此外，在感应加热设备如电磁炉或金属熔炼装置中，该器件可用于谐振转换器拓扑（如LLC或串联谐振），利用其快速恢复体二极管和低开关损耗特性，实现高效的能量传递。
　　其他应用还包括高电压脉冲发生器、电子镇流器、电焊机电源模块以及电动汽车充电系统中的辅助电源部分。由于其具备较强的抗雪崩能力和过载容忍度，IXFP16N50P也适合用于存在电压瞬变或负载突变风险的严苛工业环境。总之，凡是需要500V耐压等级、16A以上电流承载能力以及高频率开关性能的应用，IXFP16N50P都是一个极具竞争力的选择。

IRFP460LC
　　STP16NF50
　　FQP16N50