时间：2025/8/6 6:01:18
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IXFP14N85XM 是由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高电压和高电流应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于电源管理、工业控制、电动车辆（EV）和可再生能源系统等领域。IXFP14N85XM 采用先进的 CoolMOS? 技术，提供了卓越的开关性能和效率。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：850V
最大漏极电流（Id）：14A
导通电阻（Rds(on)）：0.42Ω @ Vgs=10V
栅极电荷（Qg）：62nC
功耗（Ptot）：125W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-247
IXFP14N85XM 具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其高耐压能力（850V）使其非常适合用于高电压应用，例如工业电源和电机驱动器。其次，该器件采用了英飞凌的 CoolMOS? 技术，显著降低了开关损耗和导通损耗，从而提高了整体能效。
此外，IXFP14N85XM 具有较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗并提高系统的整体效率。同时，其较大的电流承载能力（14A）使得该器件能够胜任高功率密度的设计需求。
在热管理方面，TO-247 封装提供了良好的散热性能，确保了器件在高温环境下的稳定运行。IXFP14N85XM 的栅极电荷（Qg）较低，进一步优化了开关性能，减少了开关过程中的能量损耗，适用于高频开关应用。
该 MOSFET 的设计还考虑了长期可靠性，能够在严苛的工作条件下保持稳定的性能。其广泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C）使其适用于多种工业和汽车应用场景。
IXFP14N85XM 主要用于需要高电压、高效率和高可靠性的功率电子系统。典型应用包括但不限于工业电源、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电动车充电系统、电机驱动器和电源适配器等。
在工业电源中，IXFP14N85XM 可作为主开关元件，提供高效的功率转换能力。在光伏逆变器中，该器件可以用于 DC-AC 转换，实现太阳能能量的高效输出。
在电动车充电系统中，IXFP14N85XM 的高耐压和低导通电阻特性使其成为理想的功率开关器件。此外，该器件也常用于各种类型的电机驱动系统，如工业自动化设备中的变频驱动器（VFD）和伺服驱动器。
由于其出色的性能和可靠性，IXFP14N85XM 也被广泛应用于消费类高端电源设备，如高性能笔记本电脑电源适配器和服务器电源系统。
IXFP18N85XM, IXFH14N85X
