IXFP14N85X 时间：2025/8/6 9:26:27 阅读：12

IXFP14N85X 是由 IXYS 公司生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、逆变器以及马达控制等高功率场合。该器件采用了先进的平面技术，具备较低的导通电阻和较高的开关速度，从而有效降低功率损耗并提高系统效率。IXFP14N85X 采用 TO-247 封装，便于安装和散热。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：850V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：14A（在Tc=25℃时）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.32Ω
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-247

特性

IXFP14N85X 具有多个显著的技术特性，首先是其高耐压能力，最大漏源电压可达到 850V，使其适用于高压功率转换系统。其次，其导通电阻 Rds(on) 仅为 0.32Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体能效。此外，该 MOSFET 具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。TO-247 封装设计提供了良好的散热性能，适用于高功率密度应用。该器件还具备快速开关特性，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器。此外，其 ±20V 的栅源电压容限确保在各种驱动条件下具有良好的可靠性。
　　该器件还具备卓越的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压情况下提供额外的安全保障。IXFP14N85X 的栅极驱动特性优化，使其能够与标准 MOSFET 驱动器兼容，降低了系统设计的复杂性。此外，该器件的封装设计符合 RoHS 环保标准，适用于现代绿色电子产品制造。

应用

IXFP14N85X 适用于多种高功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、光伏逆变器、马达驱动器、不间断电源（UPS）以及工业自动化控制系统。其高耐压、低导通电阻和快速开关特性使其成为高效能功率转换应用的理想选择。在电动汽车和新能源系统中，该器件可用于高压直流转换和能量管理系统。此外，它也可用于高亮度 LED 驱动电源和智能电网设备中。