时间：2025/12/26 18:24:58
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IXFP14N60P是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的高电压、高功率N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高效率开关电源和功率转换应用。该器件采用先进的Superjunction（超级结）技术，能够在600V的高漏源电压下提供优异的导通和开关性能。其设计目标是实现低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度以及良好的热稳定性，从而在高频率和高效率的电力电子系统中发挥关键作用。IXFP14N60P封装于TO-247形式，具备良好的散热能力，适用于需要高功率密度和可靠性的工业与消费类应用。
该MOSFET特别适合用于硬开关和软开关拓扑结构，例如连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）、DC-DC转换器、逆变器以及高压电源系统。其优化的栅极电荷特性有助于降低驱动损耗，同时减少电磁干扰（EMI），提升系统整体效率。此外，该器件具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过压条件下的鲁棒性，提高了系统可靠性。由于其高性能参数和坚固的设计，IXFP14N60P广泛应用于空调、服务器电源、光伏逆变器和工业电机驱动等领域。
型号：IXFP14N60P
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：600 V
最大漏极电流（ID）：14 A
最大脉冲漏极电流（IDM）：56 A
最大栅源电压（VGS）：±30 V
导通电阻（RDS(on) max）：0.38 Ω @ VGS = 10 V
阈值电压（VGS(th)）：3 V ~ 5 V
栅极电荷（Qg typ）：65 nC @ VGS = 10 V
输入电容（Ciss typ）：1300 pF
反向恢复时间（trr）：47 ns
工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
封装形式：TO-247
IXFP14N60P采用英飞凌领先的CoolMOS? 技术，这是一种基于超级结结构的创新工艺，显著提升了传统硅基MOSFET的性能极限。这种结构通过交替排列的P型和N型掺杂区域形成电荷平衡，使得器件在保持高击穿电压的同时大幅降低单位面积的导通电阻。这不仅提高了能效，还减少了器件在导通状态下的功率损耗，对于需要长时间运行的高功率系统至关重要。
该器件具有极低的栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，从而降低了控制器的负担并提升了系统的整体效率。同时，较低的米勒电容（Crss）有效抑制了开关过程中的电压振荡和寄生导通现象，增强了电路的稳定性。此外，其快速的反向恢复特性减少了体二极管在关断时的能量损耗，进一步优化了硬开关拓扑中的热管理表现。
IXFP14N60P具备出色的热性能和长期可靠性，得益于其TO-247封装提供的优良散热路径以及内部芯片结构对热应力的良好耐受性。该器件经过严格的质量测试，符合AEC-Q101标准要求，适用于严苛的工业和汽车级环境。其高雪崩能量能力确保在突发过压或负载突变情况下仍能安全运行，避免因瞬态事件导致的器件失效。综合这些特性，IXFP14N60P成为现代高效电源系统中不可或缺的核心元件之一。
IXFP14N60P广泛应用于各类高效率、高电压的开关电源系统中，尤其适用于功率因数校正（PFC）电路模块，在连续导通模式（CCM）升压PFC拓扑中表现出色，能够有效提升电网输入侧的功率因数并降低谐波失真，满足IEC 61000-3-2等国际能效标准。此外，它也常用于大功率AC-DC和DC-DC转换器中，如通信电源、服务器电源和工业电源设备，凭借其低导通损耗和快速开关特性，帮助实现更高的转换效率和更小的散热设计空间。
在可再生能源领域，该器件可用于光伏（PV）微型逆变器和储能系统的DC-AC逆变环节，支持高直流母线电压下的稳定运行。同时，它也适用于感应加热、UPS不间断电源、电动车辆充电设备以及高端家电产品中的电机驱动和电源模块。由于其具备良好的EMI性能和抗干扰能力，IXFP14N60P在电磁环境复杂的工业控制系统中也能保持稳定工作。无论是追求小型化、轻量化还是高可靠性，该MOSFET都能为工程师提供强有力的解决方案。
IPP60R190P7
SPW47N60C3
STF14N60M2
FQP14N60
