IXFN80N50 时间：2025/8/6 13:08:57 阅读：15

IXFN80N50 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率应用中。该器件具有高电流容量和高电压阻断能力，适用于电源转换、电机控制、UPS 系统、焊接设备和工业自动化等领域。IXFN80N50 采用 TO-247 封装，具备良好的热管理和高可靠性。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：80A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤ 0.085Ω
　　最大功率耗散（Ptot）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　栅极电荷（Qg）：150nC
　　输入电容（Ciss）：2000pF
　　封装类型：TO-247

特性

IXFN80N50 具备优异的导通性能和开关特性，能够在高电压和大电流条件下稳定工作。其导通电阻非常低，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的热稳定性，能够在高功率应用中保持良好的性能。IXFN80N50 的栅极驱动要求较低，适用于各种功率转换拓扑，如 DC-DC 转换器、逆变器和整流器。该 MOSFET 还具有较强的短路耐受能力，增强了其在严苛环境中的可靠性。
　　另一个显著特点是其快速开关能力，这有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。同时，其封装设计提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下的稳定运行。IXFN80N50 的内部结构采用了先进的平面技术，使得其在高温环境下依然具有稳定的电气性能。此外，该器件的封装材料符合 RoHS 标准，符合环保要求。

应用

IXFN80N50 主要用于需要高功率密度和高可靠性的应用中。其典型应用包括电源供应器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、焊接设备、感应加热系统、工业自动化控制系统以及各种类型的功率转换器。此外，它也可用于高电压直流电机控制和电池管理系统中。在这些应用中，IXFN80N50 能够提供高效的功率转换和出色的热管理性能，确保系统稳定运行。
　　在新能源领域，例如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中，IXFN80N50 也具有广泛的应用前景。其高电压和大电流能力使其能够胜任这些高功率密度系统的需求。此外，在高频电源和开关电源（SMPS）中，该 MOSFET 的快速开关特性有助于提高转换效率，降低能耗。