时间：2025/8/5 23:30:42
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IXFN75N60C是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET晶体管，广泛应用于需要高效率和高可靠性的电源系统中。这款晶体管采用TO-247封装形式，具备良好的热性能和电气性能，适合用于开关电源、逆变器、电机控制等多种工业和消费类应用。IXFN75N60C设计用于处理高达75A的连续漏极电流，并具有600V的漏源极击穿电压，能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。
漏源极击穿电压(Vds)：600V
连续漏极电流(Id)：75A
栅极阈值电压(Vgs(th))：5V @ 250μA
导通电阻(Rds(on))：小于0.115Ω @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C至+150°C
IXFN75N60C具有多项优良特性，首先，其高耐压能力和大电流承载能力使其非常适合用于高功率应用。该器件采用了先进的沟槽式栅极技术，从而降低了导通电阻（Rds(on)），提高了器件的导电性能，降低了导通损耗。
其次，该MOSFET具备优异的开关性能，包括快速的开关速度和低开关损耗，这有助于提高系统的整体效率并减少发热。此外，IXFN75N60C的封装设计优化了散热性能，使得器件能够在较高温度下稳定工作，延长了使用寿命。
该器件还具备良好的短路耐受能力和过热保护功能，能够在异常工作条件下保护器件免受损坏。同时，IXFN75N60C的栅极驱动电压范围较宽，支持5V至20V之间的驱动电压，提供了更大的设计灵活性。
最后，IXFN75N60C符合RoHS环保标准，适用于需要环保材料的应用场景。
IXFN75N60C广泛应用于各种高功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及工业电机控制电路等。在开关电源中，该器件用于主开关或同步整流器，能够提高电源的效率和可靠性；在逆变器中，IXFN75N60C可用于DC-AC转换，实现高效的能量转换；在电机控制系统中，该器件可作为功率开关，实现对电机的精确控制。
此外，IXFN75N60C还适用于需要高可靠性和高效率的消费类电子产品，如高端音频放大器和家用电器中的电源模块。由于其优异的电气性能和机械稳定性，该器件在工业自动化设备、测试设备和电源管理系统中也有广泛应用。
STF75N60DM2, FCP75N60
