类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：250V
　　最大漏极电流（ID）：73A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.036Ω
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：4V @ 250μA
　　最大功耗（PD）：310W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

IXFN73N29 的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。其低电阻特性使其在高电流应用中表现优异，减少了发热并提高了能效。
　　此外，该器件具有较高的耐压能力，最大漏源电压为 250V，适用于中高压电源转换系统。这种高耐压能力使得 IXFN73N29 可以在较宽的电压范围内稳定工作，适用于各种电源管理应用。
　　该 MOSFET 还具备良好的热稳定性和高功率耗散能力。TO-247 封装提供了较大的散热面积，有助于将热量快速传导出去，从而保证器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。这使得 IXFN73N29 非常适合需要长时间高负载工作的应用，如不间断电源（UPS）、工业电机驱动和逆变器系统。
　　另外，IXFN73N29 的栅极驱动特性也较为理想，其栅极阈值电压约为 4V，能够与常见的 PWM 控制器兼容，便于设计和集成。这使得工程师在设计电源系统时可以更灵活地选择控制电路，简化系统设计并提高可靠性。
　　该器件还具备较强的抗雪崩能力，能够在短时间承受较大的能量冲击，从而增强系统的鲁棒性和可靠性。这种特性在工业环境和电力电子系统中尤为重要，可以有效防止因瞬态电压或电流造成的损坏。

IXFN73N29 通常用于高功率和高效率的电源转换系统中。例如，在 DC-DC 转换器中，该器件可作为主开关，负责高效地将输入电压转换为所需的输出电压。在电机控制应用中，IXFN73N29 可用于 H 桥结构中，实现对直流电机或步进电机的高效控制。此外，它还广泛用于逆变器系统、太阳能逆变器、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率开关。
　　在电源供应器和不间断电源（UPS）中，IXFN73N29 也常用于高频开关电路中，以实现高效的能量转换。由于其高耐压和大电流能力，该器件在电力电子系统中也常被用于构建高频谐振变换器和软开关拓扑结构。

IXFN74N29, IXFN76N29, IXFH73N29