IXFN72N55Q 时间：2025/8/6 0:41:20 阅读：24

IXFN72N55Q是一款N沟道增强型功率MOSFET，由IXYS公司制造，适用于高功率和高效能应用。该器件采用TO-247封装，设计用于需要高电流和高电压处理能力的场合。IXFN72N55Q的漏源电压额定值为55V，漏极电流可达72A，使其适用于各种电源管理和电机控制应用。

参数

漏源电压(Vds)：55V
　　漏极电流(Id)：72A
　　导通电阻(Rds(on))：约2.8mΩ（典型值）
　　栅极电荷(Qg)：约85nC
　　功率耗散(Pd)：约200W

特性

IXFN72N55Q具有低导通电阻，可以减少导通损耗并提高效率。其高电流处理能力使其非常适合用于高功率应用。该器件的热阻较低，能够有效地将热量从芯片传导到散热器，从而提高可靠性。此外，IXFN72N55Q具有快速开关特性，能够减少开关损耗并提高系统效率。其TO-247封装提供了良好的散热性能和机械稳定性，适用于各种工业和汽车应用。
　　在可靠性方面，IXFN72N55Q具有较高的耐用性和长寿命，能够在高温和高湿度环境下稳定工作。其封装材料符合RoHS标准，符合环保要求。此外，该器件具有良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏。这种特性使其在电机驱动和电源转换等应用中表现出色。
　　IXFN72N55Q还具有较低的栅极电荷，这意味着它可以更快地开关，从而减少开关损耗和电磁干扰（EMI）。这种特性对于高频应用尤为重要，因为它可以提高系统的整体效率和性能。此外，该器件的导通电阻随温度变化较小，能够在不同温度条件下保持稳定的性能。

应用

IXFN72N55Q广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、电池充电器、逆变器和不间断电源（UPS）等高功率电子设备中。在电动汽车和混合动力汽车中，该器件可用于电机驱动和电池管理系统，提供高效的能量转换和控制。此外，IXFN72N55Q也适用于工业自动化和机器人系统，用于控制电机和执行器的动作。在太阳能逆变器和风力发电系统中，该器件可用于将直流电转换为交流电，提供高效的能量转换解决方案。