时间：2025/8/5 20:08:19
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IXFN65N90P是一款由IXYS公司制造的高功率MOSFET晶体管。这款MOSFET主要用于高电压和高电流的应用，例如工业电机控制、电源转换器、太阳能逆变器以及电动车充电系统等。IXFN65N90P属于N沟道增强型功率MOSFET，具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性，适用于各种高性能电源管理场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：900V
最大漏极电流(Id)：65A（在25°C下）
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.16Ω
栅极电压(Vgs)：±30V
最大功耗(Pd)：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXFN65N90P具有多项突出的电气和热性能特性，适用于高要求的功率应用。其900V的高耐压能力确保在高压环境下仍能稳定运行，而65A的最大漏极电流使其能够处理大功率负载。该器件的导通电阻仅为0.16Ω，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，IXFN65N90P采用了先进的平面MOSFET技术，具备优异的开关性能和快速响应能力，适合高频开关应用。其TO-247封装形式不仅提供了良好的散热效果，还便于安装和散热器连接。该器件的栅极电压范围为±30V，具备较强的抗干扰能力，可在复杂电磁环境中稳定工作。IXFN65N90P的高可靠性和耐久性使其成为工业级和汽车级应用的理想选择。
IXFN65N90P广泛应用于需要高电压和高电流处理能力的电力电子系统中。常见的应用场景包括直流-交流逆变器（如太阳能逆变器）、直流-直流转换器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、电池充电系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高效率和高可靠性，该器件也常用于电动车、混合动力车的电源管理系统中。
IXFN66N90P, IXFH65N90P, IRF840, STF9N90M
