NT5TU64M16GG-BE 是一款高密度 DDR3L SDRAM 芯片,广泛应用于需要高性能和低功耗的电子设备中。DDR3L(Low Voltage)技术使其能够在较低的工作电压下运行,从而有效降低功耗,同时保持较高的数据传输速率。
该芯片具有64M×16 的组织结构,适用于各种嵌入式系统、网络设备、工业控制以及消费类电子产品。
容量:1GB
位宽:16位
工作电压:1.35V
数据速率:800MT/s, 1066MT/s, 1333MT/s, 1600MT/s
封装形式:BGA
引脚数:96
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
存储阵列:64M×16
NT5TU64M16GG-BE 具备以下关键特性:
1. 支持 DDR3L 标准,采用 1.35V 低电压设计,有助于降低整体功耗。
2. 高速数据传输能力,支持高达 1600MT/s 的数据速率。
3. 内部存储器架构为 64M×16,适合多种应用需求。
4. 采用 BGA 封装形式,提供更小的尺寸和更好的散热性能。
5. 工业级工作温度范围,确保在极端环境下的稳定运行。
6. 自动预充电、自动刷新等特性优化了内存管理效率。
NT5TU64M16GG-BE 主要应用于以下领域:
1. 嵌入式系统:如工控机、POS 机和其他需要高性能内存的设备。
2. 网络设备:路由器、交换机等对数据处理速度要求较高的场景。
3. 消费类电子产品:包括智能电视、游戏机等需要大容量、高速内存的应用。
4. 医疗设备:用于需要实时数据处理和存储的医疗仪器。
5. 汽车电子:车载信息娱乐系统、驾驶辅助系统等对可靠性要求高的场合。
NT5TU64M16GK-BE
NT5TU64M16GL-BE
NT5TU64M16GT-BE