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IXFN64N60P 发布时间 时间:2023/3/6 15:13:33 查看 阅读:255

    晶体管极性:N

    漏极电流, Id 最大值:50A

    电压, Vds 最大:600V

  

目录

概述

    晶体管极性:N

    漏极电流, Id 最大值:50A

    电压, Vds 最大:600V

    开态电阻, Rds(on):0.096ohm

    电压 @ Rds测量:10V

    电压, Vgs 最高:30V

    功耗:700W

    工作温度范围:-55°C to +150°C

    封装类型:ISOTOP

    针脚数:4

    N沟道栅极电荷 Qg:200nC

    功率, Pd:700W

    封装类型:ISOTOP

    晶体管类型:MOSFET

    热阻, 结至外壳 A:0.18°C/W

    电压 Vgs @ Rds on 测量:10V

    电压, Vds 典型值:600V

    电容值, Ciss 典型值:12000pF

    电流, Id 连续:64A

    表面安装器件:螺丝安装

    阈值电压, Vgs th 典型值:5V

    时间, trr 最大:200ns


资料

厂商
IXYS

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IXFN64N60P参数

  • 标准包装10
  • 类别半导体模块
  • 家庭FET
  • 系列PolarHV™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C96 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs200nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds12000pF @ 25V
  • 功率 - 最大700W
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商设备封装SOT-227B
  • 包装管件