IXFN64N60P
时间:2023/3/6 15:13:33
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晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:50A
电压, Vds 最大:600V
概述
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:50A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):0.096ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:700W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:ISOTOP
针脚数:4
N沟道栅极电荷 Qg:200nC
功率, Pd:700W
封装类型:ISOTOP
晶体管类型:MOSFET
热阻, 结至外壳 A:0.18°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电容值, Ciss 典型值:12000pF
电流, Id 连续:64A
表面安装器件:螺丝安装
阈值电压, Vgs th 典型值:5V
时间, trr 最大:200ns
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- 深圳市吉铭贸易有限公司
- 50000
- IXYS
- 2020+/MOSFET NCH 600V 50A SOT227
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IXFN64N60P参数
- 标准包装10
- 类别半导体模块
- 家庭FET
- 系列PolarHV™
- FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)600V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C96 毫欧 @ 500mA,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 8mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs200nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds12000pF @ 25V
- 功率 - 最大700W
- 安装类型底座安装
- 封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC
- 供应商设备封装SOT-227B
- 包装管件