IRC540-008PBF是一款由Infineon Technologies(英飞凌)制造的N沟道功率MOSFET。该器件广泛用于电源管理和功率转换应用,例如电源供应器、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等。该MOSFET采用TO-220封装,具备高耐压和高电流承载能力,适合中高功率应用。其设计确保了较低的导通电阻,有助于提高系统效率并减少热损耗。
类型:N沟道
最大漏极电流:28A
漏源电压(VDS):100V
栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):0.077Ω @ VGS=10V
功耗:150W
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装类型:TO-220
IRC540-008PBF具有多项优异的电气性能和可靠性。其低导通电阻确保了在高负载条件下仍能保持较低的功率损耗,从而提高整体能效。此外,该MOSFET具备较高的雪崩能量耐受能力,有助于增强系统在异常工作条件下的稳定性。其封装设计优化了热管理,使得热量能够有效散发,从而延长器件寿命。同时,该器件具备快速开关特性,适用于高频开关应用,减少开关损耗并提升系统响应速度。此外,该MOSFET具有良好的栅极稳定性,能够在高dv/dt环境下保持可靠工作。
IRC540-008PBF适用于多种功率电子系统,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、电池充电器、逆变器、负载开关和工业控制系统等。在汽车电子应用中,它也可用于电动工具、车载电源管理系统和照明控制电路。由于其高效率和高可靠性,该器件在消费类电子产品、工业设备以及汽车电子系统中均有广泛应用。
IRF540N, STP55NF06, FDP540N, FQP540N