时间：2025/8/6 6:39:53
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IXFN64N20是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由IXYS公司制造。该器件设计用于高电流、高电压的应用场合，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等优点。IXFN64N20广泛应用于电源管理、电机控制、逆变器、UPS系统以及各种工业和汽车电子系统中。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极击穿电压(Vds)：200V
连续漏极电流(Id)：64A @ TC=100℃
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：最大值为32毫欧姆（典型值更低）
功耗(Pd)：300W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-247AC
晶体管配置：单个MOSFET
引脚数：3
安装类型：通孔安装
IXFN64N20的主要特性之一是其出色的导通性能。在Vgs为10V时，Rds(on)最大值为32毫欧姆，这意味着在高电流条件下，器件的导通损耗非常低，从而提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET具有高电流承载能力，能够支持高达64A的连续漏极电流，适用于高功率应用。
另一个重要特性是其高耐压能力，Vds额定值为200V，使得IXFN64N20适用于需要较高电压隔离的电源转换和电机驱动应用。该器件的栅极驱动电压范围为±20V，提供了较大的设计灵活性，同时确保了器件的稳定性和可靠性。
IXFN64N20采用了TO-247AC封装，具有良好的热管理性能。该封装形式不仅提供了较大的散热面积，而且便于安装在散热器上，从而提高了器件在高功率条件下的稳定性。此外，TO-247AC封装是一种常见的工业标准封装，便于替代和兼容设计。
该MOSFET还具有快速开关能力，适用于高频开关应用。其内部结构优化了开关损耗，使得在高频条件下仍能保持较低的功耗。这一特性对于提高电源转换器的效率至关重要。
此外，IXFN64N20的热稳定性也十分出色，能够在-55℃至175℃的温度范围内正常工作。这种宽温度范围使其适用于各种恶劣环境，包括汽车电子和工业控制领域。
IXFN64N20的应用领域非常广泛。在电源管理系统中，它可用于DC-DC转换器、AC-DC电源模块以及负载开关控制。由于其高电流和高电压特性，IXFN64N20也常用于电机控制电路中，例如电动工具、工业自动化设备和机器人系统。此外，在逆变器和不间断电源（UPS）系统中，该MOSFET可用于实现高效的能量转换和管理。
在汽车电子领域，IXFN64N20可用于电动车（EV）和混合动力车（HEV）的电源管理系统，包括电池管理系统（BMS）和车载充电器。其高耐压和高电流能力使其能够承受车辆电气系统中的瞬态电压和高负载电流。此外，该器件还可用于LED照明系统、太阳能逆变器以及各种工业控制设备中。
由于其优异的性能和可靠性，IXFN64N20也常用于工业自动化设备中的高功率开关控制，如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器和变频器。其快速开关特性和低导通电阻使其成为这些应用中的理想选择。
IRF640N, FDP640N, STP64NF20, FQP64N20
