KT6387/BNP 时间：2025/12/28 15:16:00 阅读：25

KT6387/BNP 是一款由KEC（韩国电子部件公司）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高频率开关应用，具有低导通电阻和高电流承载能力的特点。KT6387/BNP采用TO-252（DPAK）封装，适用于各种电源管理和DC-DC转换器应用。其设计目标是在高效率、高密度的电源系统中提供卓越的性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：12A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(ON)）：约8.5mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

KT6387/BNP 的主要优势在于其非常低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够减少功率损耗，提高系统效率。同时，该MOSFET的栅极电荷较低，有助于实现更快的开关速度，减少开关损耗。
　　此外，KT6387/BNP 具有良好的热稳定性，TO-252封装能够有效散热，适合高功率密度应用。该器件的栅极驱动电压范围较宽（通常在4.5V至20V之间），适用于多种驱动电路配置。
　　在可靠性方面，KT6387/BNP 具有较高的耐用性和稳定性，适用于工业级和汽车电子应用。其封装材料符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺。

应用

KT6387/BNP 主要用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）以及各种高电流开关应用。由于其低导通电阻和高电流能力，该MOSFET特别适合用于同步整流、电源分配系统以及高性能电源模块。
　　在汽车电子领域，KT6387/BNP 可用于车载充电器、电动工具、电动车驱动系统以及LED照明驱动电路。此外，它也广泛应用于工业自动化设备、通信电源和消费类电子产品中的高效能电源管理模块。