时间：2025/7/19 3:18:20
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IXFN60N80P是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。该器件采用TO-247封装形式，适用于高电压和高电流的应用场景。其主要设计目标是提供高效的功率转换能力，同时保持较低的导通和开关损耗，适用于工业电源、逆变器、电动机控制、开关电源等应用领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：800V
连续漏极电流（Id）：60A
导通电阻（Rds(on)）：约0.18Ω（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：4.5V ~ 6.5V
最大工作温度：150°C
封装类型：TO-247
IXFN60N80P具有多项优异的电气和物理特性。首先，其高耐压能力（800V）使其能够适应高压环境，适用于高电压输入的电源系统。其次，60A的连续漏极电流能力使其能够处理大电流负载，适合高功率应用。此外，该器件的导通电阻相对较低，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的栅极阈值电压范围适中，确保了良好的栅极驱动兼容性，适用于多种控制电路设计。IXFN60N80P的封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，能够在高功率工作条件下保持稳定运行。该器件还具备良好的抗雪崩能力和过载能力，提高了系统的可靠性和安全性。
IXFN60N80P广泛应用于各种高功率电子系统中，包括工业电源、直流-交流逆变器、电动机驱动器、UPS（不间断电源）、开关电源（SMPS）以及太阳能逆变器等。在这些应用中，IXFN60N80P能够提供高效的功率转换，同时保持良好的稳定性和可靠性。在电机控制和工业自动化系统中，它能够处理高电压和大电流负载，确保系统稳定运行。在太阳能逆变器中，该器件可以用于直流侧到交流侧的能量转换，提高整体系统的能量利用效率。
IXFN60N80Q, IXFH60N80P, IXFN60N80TF
