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BUK9605-30A,118 发布时间 时间:2025/9/14 1:29:09 查看 阅读:22

BUK9605-30A,118 是由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的TrenchFET技术,具有低导通电阻、高效率和优异的热性能,适用于多种电源管理和功率转换应用。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):20V(最大值)
  连续漏极电流(ID):80A(在25°C下)
  导通电阻(RDS(on)):5.5mΩ(最大值,VGS=10V)
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:TO-263(D2PAK)
  安装类型:表面贴装

特性

BUK9605-30A,118 具有多个显著的性能优势,使其成为高效率功率转换应用的理想选择。
  首先,该MOSFET采用了先进的TrenchFET技术,显著降低了导通电阻(RDS(on)),从而减少了导通损耗,提高了整体效率。其最大导通电阻仅为5.5mΩ,在高电流条件下依然能够保持较低的功率损耗。
  其次,该器件的漏源电压为30V,栅源电压可达20V,支持广泛的应用场景。连续漏极电流可达80A,在高温条件下仍能保持稳定的性能,适合用于高负载环境。
  此外,BUK9605-30A,118 采用TO-263(D2PAK)封装,具有优异的热管理能力,能够有效散热,提高器件的可靠性和使用寿命。该封装形式也便于进行自动化装配和焊接,适用于现代电子产品的大规模生产。
  该MOSFET的工作温度范围宽广,从-55°C至175°C,可在极端环境下稳定运行,适用于工业控制、汽车电子、电源管理等对环境要求较高的应用领域。
  最后,该器件具有良好的抗雪崩能力,能够在瞬态高压条件下保持稳定运行,增强了系统的稳定性和安全性。

应用

BUK9605-30A,118 广泛应用于多个高功率和高效率要求的电子系统中。
  在电源管理领域,该MOSFET常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路中,提供高效、稳定的电源转换解决方案。由于其低导通电阻和优异的热性能,能够显著提高电源转换效率,降低系统能耗。
  在汽车电子方面,该器件适用于车载电源系统、电机驱动控制器和电池管理系统等应用。其宽工作温度范围和高可靠性使其能够在严苛的汽车环境中稳定运行,满足汽车电子对元件的高要求。
  此外,BUK9605-30A,118 也适用于工业自动化控制系统,如伺服电机驱动、可编程逻辑控制器(PLC)和工业电源模块等。其高电流承载能力和快速开关特性能够有效提升系统的响应速度和稳定性。
  该MOSFET还可用于消费类电子产品,如笔记本电脑电源适配器、高性能图形卡电源管理模块以及智能家居设备的电源控制部分。其表面贴装封装形式便于集成到紧凑型电路板设计中,满足现代电子产品小型化、轻量化的发展趋势。

替代型号

IRF3710, SiSS16DN, FDS4410A, BSC050N03LS

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BUK9605-30A,118参数

  • 标准包装1
  • 类别未定义的类别
  • 家庭未定义的系列
  • 系列*
  • 其它名称568-9673-6