时间：2025/8/5 13:34:37
阅读：11
IXFN60N80是一款由IXYS公司生产的高电压、大电流N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高性能功率转换和高效率应用而设计。这款MOSFET具有高耐压（800V）和大电流能力（60A），非常适合用于高功率密度的开关电源（SMPS）、电机控制、逆变器和DC-DC转换器等应用。其封装形式为TO-247，具备良好的散热性能，以满足高功率需求。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：800V
栅极-源极电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：60A
工作温度范围：-55°C至150°C
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.16Ω
封装类型：TO-247
IXFN60N80具有高电压和高电流处理能力，能够满足严苛的工业和电力电子应用需求。
其高耐压特性（800V Vds）使其适用于高压系统，如太阳能逆变器和高压电源转换设备。
该器件具备低导通电阻（Rds(on)），有效减少导通损耗，提高系统效率。
此外，IXFN60N80采用TO-247封装，具备良好的热管理和散热能力，适用于高功率应用环境。
该MOSFET还具备高dv/dt抗扰能力，能够在高频开关条件下稳定运行。
同时，它具有快速恢复的体二极管特性，适合用于高效率同步整流和再生负载控制。
器件内部结构优化，确保在高电流和高压应力下具备稳定的性能和较长的使用寿命。
IXFN60N80符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子设备的设计。
IXFN60N80广泛应用于高功率开关电源（SMPS）、太阳能逆变器、DC-DC转换器、电机驱动器和工业自动化控制系统。
此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）、电焊机、感应加热系统和高电压测试设备。
由于其高频开关性能和低导通损耗，IXFN60N80也被用于高性能功率因数校正（PFC）电路和谐振变换器设计中。
在电动汽车充电设备和能源管理系统中，该MOSFET同样具备良好的应用前景。
该器件还适用于需要高可靠性和高稳定性的航空航天、军工和通信电源系统。
IXFH60N80, IXFH60N80P, IXFN60N80Q, STF80N800, FCP80N80
