时间：2025/8/6 0:45:54
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IXFN55N49 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），适用于高电流、高效率的功率电子应用。该器件具有低导通电阻和高耐压特性，非常适合用于电机控制、电源转换、电池管理系统以及其他需要高功率密度的设计中。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：49 V
最大漏极电流（Id）：55 A
导通电阻（Rds(on)）：最大 16 毫欧（在 Vgs=10V）
栅极电荷（Qg）：150 nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247
IXFN55N49 采用先进的制造工艺，具有非常低的导通电阻，从而降低了导通损耗并提高了效率。该器件的高电流处理能力使其适用于高功率应用场景。此外，其坚固的封装设计和宽工作温度范围确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性。由于其快速开关特性，IXFN55N49 在高频应用中表现出色，减少了开关损耗。
另一个显著特点是该 MOSFET 的热阻较低，有助于有效散热，提高系统稳定性。此外，其高雪崩能量耐受能力提供了额外的安全裕度，防止在极端条件下发生损坏。这些特性共同使得 IXFN55N49 成为工业电源、逆变器、直流电机驱动和电池充电器等应用的理想选择。
IXFN55N49 被广泛应用于各种高功率电子设备中，例如工业电源、直流-直流转换器、电机驱动器、电池管理系统、逆变器以及不间断电源（UPS）。由于其高效率和高可靠性，它也非常适合用于新能源系统，如太阳能逆变器和电动车充电设备。
IXYS 的 IXFN52N60P，STMicroelectronics 的 STP55NM50N，Infineon 的 IRF540N，以及 ON Semiconductor 的 NTD5863NL
