时间：2025/8/6 0:40:44
阅读：18
IXFN54N25是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET晶体管，主要用于高电压和高电流应用，如电源转换器、电机控制、UPS系统和工业电源管理。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高可靠性等优点，适用于各种高要求的电力电子应用。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极击穿电压(BVDSS)：250V
连续漏极电流(ID)：54A
导通电阻(RDS(on))：0.075Ω（典型值）
栅极阈值电压(VGS(th))：4V至6V
漏极-源极额定功率(PD)：350W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247AC
技术：增强型MOSFET
IXFN54N25采用了先进的MOSFET技术，具备极低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了系统效率。其高耐压能力使其能够承受较高的电压应力，适用于多种高电压环境下的功率转换应用。该器件的封装设计具有良好的热传导性能，确保在高功率操作下保持较低的工作温度，延长器件寿命。此外，IXFN54N25还具有快速开关特性，适合用于高频开关电源设计，减少开关损耗。其高可靠性和稳定性使其在恶劣环境下也能正常工作，广泛应用于工业控制、通信电源、不间断电源(UPS)等领域。
IXFN54N25广泛应用于各类高功率电子设备中，如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS系统、太阳能逆变器、工业自动化设备和高频电源变换器等。其优异的性能和可靠性使其成为高性能电源管理系统中的理想选择。
IXFN54N25的替代型号包括IXFN54N25Q、IXFN50N25、IXFN48N25，以及来自其他厂商的类似规格MOSFET，如Infineon的IPW60R070CFD7和STMicroelectronics的STP55NF25。
