时间：2025/5/29 9:49:58
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GMC04CG120F100NT是一款高性能的碳化硅（SiC）MOSFET功率模块，专为高频、高效应用设计。该模块采用了先进的碳化硅技术，具有低导通电阻、快速开关速度和高耐压的特点，适用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车驱动系统等领域。
该器件内部集成了两个反并联的SiC MOSFET，形成全桥或半桥拓扑结构，能够满足多种电路需求。同时，它具备良好的热性能和可靠性，可有效提升系统的整体效率。
额定电压：1200V
额定电流：100A
导通电阻：≤5mΩ
开关频率：高达100kHz
结温范围：-55℃至175℃
封装形式：符合行业标准的焊接型模块
1. 高效碳化硅技术，相比传统硅基器件可显著降低开关损耗和导通损耗。
2. 快速开关特性，支持高频工作，有助于减少无源元件体积和重量。
3. 内置热敏电阻，便于实时监控模块温度。
4. 耐高压设计，确保在高电压环境下的稳定运行。
5. 紧凑的封装设计，优化了散热路径，提升了功率密度。
6. 具备较强的抗浪涌能力，适合恶劣工况的应用场景。
1. 工业变频器及伺服驱动器
2. 太阳能光伏逆变器
3. 电动汽车电机控制器
4. 不间断电源（UPS）系统
5. 高频DC-DC转换器
6. 其他需要高效率、高功率密度的电力电子设备
