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IXFN520N075T2 发布时间 时间:2025/7/19 3:19:31 查看 阅读:13

IXFN520N075T2是一款由Littelfuse公司生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于高功率开关电源、DC-DC转换器、电机控制和功率因数校正(PFC)电路等场合。该器件采用T2封装,具有高电流能力和良好的热性能,适用于需要高效率和高性能的电源设计。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(VDS):75V
  栅源电压(VGS):±20V
  最大连续漏极电流(ID):200A(在TC=25℃)
  功耗(PD):200W
  工作温度范围:-55℃ ~ +175℃
  导通电阻(RDS(on)):典型值为3.2mΩ(在VGS=10V时)
  栅极电荷(Qg):典型值为150nC
  输入电容(Ciss):典型值为4500pF
  封装形式:T2

特性

IXFN520N075T2具备极低的导通电阻,使其在高电流应用中能够有效降低导通损耗,提高系统效率。其高栅极电荷特性使其适用于高频开关应用,减少开关损耗并提升整体性能。此外,该MOSFET具有良好的热稳定性和高温耐受能力,确保在高负载条件下仍能稳定工作。
  该器件采用先进的平面技术制造,具有优异的短路耐受能力和抗雪崩能力,增强了在严苛环境下的可靠性和耐用性。同时,其封装设计优化了散热性能,有助于将热量迅速传导至散热片,提升整体热管理效果。
  IXFN520N075T2的驱动特性良好,易于与常见的MOSFET驱动电路配合使用,适合用于多种拓扑结构,如Buck、Boost、半桥和全桥等功率转换电路。

应用

IXFN520N075T2广泛应用于工业电源、通信电源、服务器电源、UPS不间断电源、电动工具、电动车驱动系统以及光伏逆变器等高功率密度和高效率要求的场合。由于其高电流能力和低导通电阻,特别适用于需要大功率输出的DC-DC转换器和电机控制电路。

替代型号

IXFN520N075T2的替代型号包括IXFN440N075T2、IXFN480N075T2和IXFN560N075T2,这些型号在电压和电流参数上相近,可根据具体应用需求进行选择。

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IXFN520N075T2参数

  • 标准包装10
  • 类别半导体模块
  • 家庭FET
  • 系列TrenchT2™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)75V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C480A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.9 毫欧 @ 100A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs545nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds41000pF @ 25V
  • 功率 - 最大940W
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商设备封装SOT-227B
  • 包装管件