时间：2025/7/19 3:19:31
阅读：15
IXFN520N075T2是一款由Littelfuse公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于高功率开关电源、DC-DC转换器、电机控制和功率因数校正（PFC）电路等场合。该器件采用T2封装，具有高电流能力和良好的热性能，适用于需要高效率和高性能的电源设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：75V
栅源电压(VGS)：±20V
最大连续漏极电流(ID)：200A（在TC=25℃）
功耗(PD)：200W
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
导通电阻(RDS(on))：典型值为3.2mΩ（在VGS=10V时）
栅极电荷(Qg)：典型值为150nC
输入电容(Ciss)：典型值为4500pF
封装形式：T2
IXFN520N075T2具备极低的导通电阻，使其在高电流应用中能够有效降低导通损耗，提高系统效率。其高栅极电荷特性使其适用于高频开关应用，减少开关损耗并提升整体性能。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和高温耐受能力，确保在高负载条件下仍能稳定工作。
该器件采用先进的平面技术制造，具有优异的短路耐受能力和抗雪崩能力，增强了在严苛环境下的可靠性和耐用性。同时，其封装设计优化了散热性能，有助于将热量迅速传导至散热片，提升整体热管理效果。
IXFN520N075T2的驱动特性良好，易于与常见的MOSFET驱动电路配合使用，适合用于多种拓扑结构，如Buck、Boost、半桥和全桥等功率转换电路。
IXFN520N075T2广泛应用于工业电源、通信电源、服务器电源、UPS不间断电源、电动工具、电动车驱动系统以及光伏逆变器等高功率密度和高效率要求的场合。由于其高电流能力和低导通电阻，特别适用于需要大功率输出的DC-DC转换器和电机控制电路。
IXFN520N075T2的替代型号包括IXFN440N075T2、IXFN480N075T2和IXFN560N075T2，这些型号在电压和电流参数上相近，可根据具体应用需求进行选择。
