时间：2025/5/24 15:03:59
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LQP03TN27NH02D 是一款由罗姆（ROHM）半导体生产的超小型表面贴装型 N 沣道场效应晶体管（N-MOSFET）。该器件采用 USP-6B 封装形式，具有极低的导通电阻和出色的开关性能，适用于消费电子、便携式设备以及工业应用中的功率管理电路。其紧凑的设计使其非常适合需要高密度布局的应用场景。
这款 MOSFET 的设计目标是实现高效能与小尺寸的结合，能够有效降低功耗并提升系统效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.8A
导通电阻（典型值）：2.7mΩ
栅极阈值电压（典型值）：1.5V
总功耗：470mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：USP-6B（超小型表面贴装）
LQP03TN27NH02D 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，有助于减少导通损耗，从而提高整体系统效率。
2. 紧凑的封装设计使其成为空间受限应用的理想选择。
3. 快速开关能力，适合高频开关电源和负载开关等应用。
4. 支持宽范围的工作温度，确保在极端环境下的可靠运行。
5. 高度集成的设计减少了外围元件的需求，降低了整体解决方案的成本。
LQP03TN27NH02D 广泛应用于以下领域：
1. 消费类电子产品中的电池管理及充电电路。
2. 工业设备中的电机驱动和保护电路。
3. 开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和负载开关。
4. 便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的功率管理单元。
5. 通信设备中的信号切换和保护电路。
LQP03TN27NL02D
LQP03TN27NK02D
