时间：2025/8/6 2:24:44
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IXFN48N49 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）生产的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电流、高功率的应用场合。这款 MOSFET 采用先进的沟槽式功率 MOSFET 技术，具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力以及优异的热性能，适用于如电源转换、电机驱动、逆变器和工业自动化等高要求的电子系统。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（Id）：480A
最大漏-源极电压（Vds）：490V
最大栅-源极电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：最大 10.5mΩ（典型值 8.5mΩ）
封装类型：TO-247AC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
功率耗散（Pd）：340W
栅极电荷（Qg）：270nC（典型值）
漏极电容（Coss）：1600pF（典型值）
IXFN48N49 的核心特性之一是其极低的导通电阻，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。该器件的高耐压能力使其适用于高电压直流（HVDC）系统以及高功率开关电源。此外，其大电流承载能力结合先进的封装技术，提供了良好的热管理和散热性能。
该 MOSFET 还具备出色的抗雪崩击穿能力，能够在高能脉冲条件下保持稳定运行。器件的栅极设计优化了开关速度，降低了开关损耗，并减少了电磁干扰（EMI）。同时，该器件具有良好的短路耐受能力，有助于提升系统的可靠性。
在工艺制造方面，IXFN48N49 采用了先进的沟槽式结构，这种结构有助于提升载流子迁移率，从而进一步降低导通电阻并提高器件的开关性能。此外，其 TO-247AC 封装形式便于安装在散热片上，以实现更高效的热量散发。
IXFN48N49 主要用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统中。常见应用包括工业电源、逆变器、UPS（不间断电源）、电动车辆充电系统、太阳能逆变器、电机驱动器以及大功率开关电源等。在这些应用中，该器件能够有效降低传导损耗和开关损耗，提高系统整体效率和稳定性。
在新能源领域，例如光伏逆变器和电动汽车充电桩中，IXFN48N49 能够提供高效的电能转换能力。此外，它也适用于工业自动化控制系统中的高功率负载开关，例如直流电机控制、焊接电源和高频感应加热设备。
IXFN48N50, IXFN44N50, IXFH48N50
