型号：7N65A
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：650V
　　最大漏极电流（Id）：7A（25°C）、3.5A（100°C）
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　最大功耗（Ptot）：125W
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　阈值电压（Vgs(th)）：3.0V ~ 4.5V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（@ Vgs=10V, Id=3.5A）
　　输入电容（Ciss）：1100pF（@ Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：260pF（@ Vds=25V）
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

7N65A具备多项优异的电气和热力学特性，使其在中高压功率应用中表现出色。
　　首先，该器件采用了英飞凌先进的Superjunction（超结）结构设计，显著降低了导通电阻Rds(on)与输出电容之间的乘积（Rds(on) × Coss），从而实现了更低的导通损耗和开关损耗。这种设计使得7N65A在高频开关环境下仍能保持高效率，特别适用于现代高频率工作的开关电源拓扑如LLC谐振变换器和有源钳位反激电路。
　　其次，7N65A具有较低的栅极电荷（Qg），典型值约为35nC，这减少了驱动电路所需的能量，降低了驱动损耗，并允许使用更小尺寸的驱动IC，有助于简化外围电路设计并提升系统集成度。
　　再者，该MOSFET具备出色的热稳定性，其最大功耗可达125W，在配备适当散热器的情况下可长时间稳定运行。器件的热阻（Rth(j-c)）较低，确保热量能快速从芯片传递至外壳，防止因局部过热导致的性能下降或失效。
　　此外，7N65A内置的体二极管具有较快的反向恢复速度（trr约45ns），可在同步整流或H桥应用中有效减少反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI）。同时，该器件通过了严格的雪崩测试，具备一定的重复雪崩能量耐受能力，增强了在异常工况下的可靠性。
　　最后，7N65A符合RoHS环保标准，采用无铅封装工艺，适用于绿色电子产品设计。其坚固的TO-220封装不仅提供了良好的电气隔离，还便于手工焊接和自动化装配，广泛适用于多种制造环境。

7N65A广泛应用于各类中高功率电力电子系统中。
　　在开关电源领域，它常用于AC-DC适配器、服务器电源、充电器和工业电源模块中，作为主开关管或同步整流管使用，尤其适合反激式、正激式和半桥拓扑结构，能够有效提升转换效率并减小体积。
　　在LED照明电源中，7N65A可用于恒流驱动电路，支持宽输入电压范围下的高效稳定工作，满足商业和户外照明对长寿命与高可靠性的要求。
　　在新能源应用方面，该器件可应用于小型光伏逆变器和储能系统的DC-DC升压/降压电路中，利用其低损耗特性提高能源利用率。
　　此外，在电机驱动系统中，7N65A可用于中小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路，实现精确的速度和方向控制。
　　工业自动化设备中的电源模块也常采用7N65A，用于为PLC、传感器和执行器供电，保障系统在复杂电磁环境下的稳定运行。
　　由于其具备较高的电压裕量和温度适应性，7N65A还可用于家电产品如空调、洗衣机和微波炉的变频控制电路中，提升整机能效等级。其高可靠性和成熟的技术方案使其成为众多工程师在设计650V级别功率MOSFET时的优选器件之一。

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　　STP7NK65ZFP
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