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IXFN44N100P 发布时间 时间:2025/8/6 11:39:22 查看 阅读:10

IXFN44N100P是一款由Littelfuse(原IXYS公司)制造的高功率N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高性能电源管理和高功率应用设计。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流处理能力,适用于如开关电源(SMPS)、电机控制、逆变器和焊接设备等工业领域。该MOSFET采用TO-264封装,具有良好的热管理和可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):110A(Tc=25°C)
  最大漏-源电压(VDS):1000V
  最大栅-源电压(VGS):±30V
  导通电阻(RDS(on)):最大0.044Ω
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-264

特性

IXFN44N100P具有多项优异的电气和热性能特性,使其适用于高功率密度和高效率的设计需求。其主要特点包括:
  1. **低导通电阻**:RDS(on) 最大值仅为0.044Ω,显著降低了导通损耗,提高了整体能效。
  2. **高耐压能力**:漏-源击穿电压为1000V,使其适用于高电压输入环境,如AC/DC转换器和工业逆变器。
  3. **高电流承载能力**:在Tc=25°C下最大连续漏极电流可达110A,支持大功率负载的高效控制。
  4. **快速开关特性**:具有较低的开关损耗,适合高频操作应用,如谐振变换器和DC-DC转换器。
  5. **增强型热稳定性**:TO-264封装提供良好的热传导性能,有助于提高器件在高温环境下的稳定性和寿命。
  6. **耐用性和可靠性**:该器件采用先进的MOSFET制造工艺,具有良好的抗雪崩能力和短路耐受能力,确保在极端条件下的稳定运行。
  7. **栅极驱动兼容性**:±30V的栅极电压容限使其兼容多种驱动电路设计,提高系统的灵活性和可靠性。

应用

IXFN44N100P广泛应用于各种高功率和高效率要求的电力电子系统中。典型应用包括:
  1. **开关电源(SMPS)**:适用于高输入电压的电源适配器、服务器电源和工业电源模块。
  2. **电机控制与驱动**:用于电动工具、工业电机驱动器和自动化设备中的功率控制。
  3. **逆变器与UPS系统**:适用于不间断电源(UPS)和太阳能逆变器中的高频开关电路。
  4. **焊接设备**:在电弧焊机、激光切割设备等高功率脉冲应用中提供高效功率控制。
  5. **电池管理系统**:用于高电压电池组的充放电控制电路中,如储能系统和电动汽车充电模块。
  6. **LED照明驱动**:适用于高功率LED照明系统中的DC-DC转换器设计。
  7. **工业自动化设备**:用于PLC、伺服驱动器和变频器等设备中的功率开关控制。

替代型号

IXFH44N100P, IXFN44N80P, IXFN44N100T

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IXFN44N100P参数

  • 标准包装10
  • 类别半导体模块
  • 家庭FET
  • 系列Polar™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C37A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C220 毫欧 @ 22A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)6.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs305nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds19000pF @ 25V
  • 功率 - 最大890W
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商设备封装SOT-227B
  • 包装管件