BUK7890-55是来自安森美(ON Semiconductor)的N沟道增强型MOSFET,采用LFPAK封装。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于需要高效能功率转换的应用场景。
这款MOSFET通常用于DC-DC转换器、电机驱动器以及负载开关等应用领域,其高效率和低功耗特点使其非常适合便携式设备和其他对能耗敏感的设计。
最大漏源电压:60V
最大连续漏极电流:34A
导通电阻(典型值):2.5mΩ
栅极电荷(典型值):10nC
总功耗:15W
工作温度范围:-55℃至175℃
BUK7890-55具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高开关速度,支持高频操作,从而实现更小的滤波器设计和更高的功率密度。
3. 良好的热稳定性,允许在高温环境下可靠运行。
4. 符合RoHS标准,环保且适合现代绿色设计需求。
5. 紧凑型LFPAK封装,简化PCB布局并节省空间。
该器件广泛应用于多种电力电子领域,包括但不限于以下方面:
1. 降压或升压型DC-DC转换器。
2. 同步整流电路。
3. 电动工具及小型家电中的电机驱动。
4. 电池管理系统中的负载开关。
5. 汽车电子系统中的电源管理模块。
NTMFS4C626
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