时间：2025/8/6 12:44:21
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IXFN40N60 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET）。这款晶体管设计用于高电压和高电流应用，具备卓越的热性能和耐用性。IXFN40N60 特别适合用于功率因数校正（PFC）、开关电源（SMPS）、直流到直流转换器、电机控制以及逆变器等应用。其主要特点是具有高击穿电压（600V）和较高的连续漏极电流能力（40A），使其能够在苛刻的条件下运行。
最大漏源电压 Vds：600V
最大漏极电流 Id：40A
功耗 Pd：208W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
存储温度范围：-55°C 至 150°C
漏源导通电阻 Rds(on)：0.075Ω（最大）
栅极电荷 Qg：140nC（典型值）
输入电容 Ciss：1900pF（典型值）
漏源击穿电压 V(br)ds：600V（最小值）
阈值电压 Vgs(th)：3V 至 5V（范围）
IXFN40N60 采用了先进的平面技术，确保了器件在高压和大电流应用中的稳定性和可靠性。它的高击穿电压能力（600V）使其非常适合用于高电压直流（HVDC）系统和功率因数校正（PFC）电路。此外，该 MOSFET 的低导通电阻（Rds(on)）减少了导通损耗，从而提高了系统的整体效率。该器件的封装设计优化了散热性能，有助于在高功率应用中保持较低的结温，延长使用寿命。其栅极驱动需求相对较低，简化了驱动电路的设计，同时具有较高的抗雪崩击穿能力，使其在极端条件下仍能稳定运行。此外，IXFN40N60 的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高开关频率，从而实现更紧凑的电源设计。
IXFN40N60 通常用于高功率开关电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器、焊接设备、感应加热系统以及工业自动化设备中的功率转换模块。它也广泛应用于消费类电子产品中的高效能电源管理电路。此外，该器件还可用于电动汽车充电器、电能质量管理系统和智能电网设备。
IXFH40N60, IXFP40N60, IRFP460, STP40N60, FDP40N60
