IXFN40N110P是一款由IXYS公司制造的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高功率、高效率的应用,如电源转换器、马达控制、直流电机驱动器和开关电源系统。IXFN40N110P采用TO-247封装形式,具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):1100V
连续漏极电流(Id):40A
导通电阻(Rds(on)):典型值为0.125Ω
栅极阈值电压(Vgs(th)):约4.5V
最大工作温度:150℃
封装形式:TO-247
IXFN40N110P的主要特性包括其高耐压能力,能够承受高达1100V的漏源电压,这使其适用于高压电源系统。该器件的导通电阻非常低,约为0.125Ω,从而减少了导通损耗,提高了整体系统的效率。此外,IXFN40N110P具有良好的热稳定性和过载能力,能够在高温环境下可靠工作。它的TO-247封装提供了良好的散热性能,并且便于安装在散热片上。栅极阈值电压适中,约为4.5V,确保了器件可以被常见的驱动电路轻松控制,同时也具备一定的抗干扰能力。此外,IXFN40N110P还具有较高的dv/dt耐受能力,能够有效防止由于电压快速变化而引起的误开通现象。这些特性使得IXFN40N110P成为一种适用于多种高功率应用的可靠选择。
IXFN40N110P广泛应用于各种高功率电子设备中,包括但不限于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电机驱动器、太阳能逆变器、电焊机和工业自动化控制系统。由于其高耐压和大电流能力,IXFN40N110P非常适合用于需要高效率和高可靠性的电力转换系统。在电机控制应用中,它可以作为主开关元件,控制电机的启停和调速。在太阳能逆变器中,该MOSFET可用于将直流电转换为交流电以供家庭或电网使用。此外,它还常用于各种工业电源系统中,如高频变压器驱动器和DC-DC转换器。
IXFN40N110T, IXFN44N110P, IXFH40N110P