PESD12VV1BL 时间：2025/5/19 16:03:00 阅读：3

PESD12VV1BL 是一款基于硅技术的低电容双向 ESD（静电放电）保护二极管。它专为高速数据线和高频信号线提供瞬态电压抑制保护而设计，具有超低电容特性，可确保信号完整性不受影响。
　　该器件采用双向结构，能够在正负方向上都提供有效的 ESD 保护，广泛应用于 USB、HDMI、以太网等高速接口电路中。

参数

工作电压：12V
　　峰值脉冲电流：8A
　　钳位电压：17.4V
　　结电容：0.5pF
　　响应时间：≤1ps
　　封装形式：SOD-962 (0201)
　　最大工作温度：-55℃ 至 +150℃

特性

PESD12VV1BL 具有以下显著特性：
　　1. 超低结电容仅为 0.5pF，适合高速数据线路保护。
　　2. 快速响应时间 ≤1ps，可以迅速抑制瞬态电压尖峰。
　　3. 双向保护结构，适用于交流信号线路。
　　4. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
　　5. 小型化封装 SOD-962 (0201)，节省 PCB 空间。
　　6. 高可靠性，能够承受 IEC61000-4-2 标准下接触放电 ±15kV 和空气放电 ±15kV 的冲击。

应用

PESD12VV1BL 广泛用于需要高性能 ESD 保护的电子设备中，典型应用场景包括：
　　1. 高速数据接口保护，如 USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort。
　　2. 移动设备中的射频前端保护，例如手机、平板电脑。
　　3. 工业自动化系统中的信号传输线路保护。
　　4. 汽车电子中的 CAN 总线、LIN 总线和其他通信接口防护。
　　5. 网络设备中的以太网端口保护。