时间：2025/8/6 12:39:13
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IXFN36N60 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高电压和高电流能力的电源转换和功率控制应用。这款器件具有良好的热稳定性和低导通电阻，适用于如电源供应器、电机控制、逆变器、UPS（不间断电源）等高要求的工业和消费类电子设备。其封装形式为 TO-247，便于散热并提高可靠性。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极-源极击穿电压 (Vds)：600V
漏极连续电流 (Id)：36A
栅极-源极电压 (Vgs)：±20V
导通电阻 (Rds(on))：典型值 0.11Ω
功耗 (Ptot)：200W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
IXFN36N60 MOSFET 采用先进的平面技术制造，具有出色的导通和开关性能。其低导通电阻 (Rds(on)) 确保了在大电流条件下的低功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件具有快速开关特性，使其适用于高频开关应用，减少开关损耗，提高电源系统的响应速度。该 MOSFET 还具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了在极端条件下的稳定性和可靠性。
其封装设计（TO-247）提供了良好的散热性能，确保器件在高负载条件下仍能保持稳定的运行温度。此外，IXFN36N60 的栅极驱动要求较低，可与多种驱动电路兼容，降低了设计复杂性。该器件还具备良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内保持一致的电气性能。
IXFN36N60 通常应用于需要高电压和高电流能力的电力电子系统，如 AC/DC 和 DC/DC 转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源 (UPS)、焊接设备、工业自动化控制系统以及大功率开关电源。由于其快速开关特性和低导通损耗，该 MOSFET 也适用于高效率电源管理和节能型电子设备。
IXFH36N60, IXFN44N60, STW34NBK2, FCP36N60
