时间：2025/7/19 3:22:17
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IXFN34N80 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高电压和高电流的功率应用中。该器件设计用于高效能电源转换和电机控制应用，例如开关电源（SMPS）、逆变器、UPS 系统等。IXFN34N80 具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热性能，适用于需要高可靠性和稳定性的工业和汽车电子系统。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：800 V
漏极电流（ID）：34 A（连续）
导通电阻（RDS(on)）：0.22 Ω @ VGS = 10 V
栅极电荷（Qg）：120 nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247AC
最大功耗（PD）：200 W
IXFN34N80 MOSFET 采用了先进的平面技术，具有优异的导通性能和快速的开关速度，能够有效降低开关损耗和导通损耗。该器件的导通电阻非常低，仅为 0.22 Ω，使得在高电流条件下能够保持较低的功率损耗。此外，IXFN34N80 具有较高的耐压能力，能够承受高达 800 V 的漏源电压，适用于高电压电源转换系统。
其高电流处理能力（34 A 连续漏极电流）使其适合用于高功率密度应用，如工业电机驱动、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等。此外，该 MOSFET 的栅极电荷较低（120 nC），有助于提高开关速度，从而降低开关损耗，提升整体系统效率。
在热性能方面，IXFN34N80 采用 TO-247AC 封装，具有良好的散热能力，能够在高温环境下稳定工作。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于各种严苛的工作环境。同时，该器件的封装设计便于安装散热片，进一步增强其热管理能力。
IXFN34N80 广泛应用于高功率电源管理系统和工业控制设备中。其主要应用场景包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、UPS 系统、电机驱动器以及太阳能发电系统等。由于其高耐压和高电流能力，该 MOSFET 在需要高效能和高可靠性的电源转换系统中表现出色。
在开关电源中，IXFN34N80 可用于主功率开关，实现高效率的 AC-DC 或 DC-DC 转换。在 UPS 系统中，它可用于 DC-AC 逆变器部分，确保在电网故障时能够快速切换到备用电源。在太阳能逆变器中，IXFN34N80 的低导通电阻和快速开关特性有助于提高能量转换效率，降低系统损耗。
此外，该器件还可用于电机控制和工业自动化系统，如伺服驱动器、变频器等，提供高效的功率控制能力。由于其封装设计易于散热，因此也适用于需要高功率密度和良好热管理的嵌入式系统。
IXFH34N80, IRFP460LC, STF34N80K, FDPF34N80
