时间：2025/9/15 3:16:10
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BAT854AW 是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）推出的双通道、双极性静电放电（ESD）保护二极管阵列，专为保护敏感电子元件免受静电放电和瞬态电压影响而设计。该器件采用小型 SOT363 封装，适用于各种便携式电子设备和高密度 PCB 设计。BAT854AW 内部集成了两个独立的 ESD 保护二极管，能够提供双向保护，适用于高速数据线路和敏感模拟/数字信号线路的保护。
制造商：NXP Semiconductors
封装类型：SOT363
通道数：2
保护方向：双向
钳位电压（Vc）：典型值 12V（在 1A 浪涌电流下）
击穿电压（Vbr）：最小值 8.5V
工作电压：最大 5.5V
反向漏电流（IR）：最大 100nA（在 5.5V 下）
ESD 保护能力：±15kV（人体模型 HBM）
响应时间：小于 1ns
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
BAT854AW 采用先进的硅雪崩技术，确保在高能量静电放电事件中提供快速而可靠的钳位保护。
其双向保护特性使其适用于需要对正负极性瞬态电压进行抑制的应用场景，如 USB 接口、HDMI、SIM 卡接口等高速数据线路。
该器件的低钳位电压有助于减少对后续电路的应力，提升系统可靠性。
此外，BAT854AW 的低电容特性（典型值 5pF）使其适用于高频信号路径，不会显著影响信号完整性。
其 SOT363 小型封装形式节省 PCB 空间，适用于紧凑型便携设备设计。
BAT854AW 主要用于便携式电子产品中的 ESD 保护，包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备。
广泛应用于高速数据通信接口，如 USB 2.0、HDMI、DisplayPort、耳机插孔和 SD 卡接口等。
也可用于保护模拟和数字信号线路，防止因静电放电或瞬态电压导致的功能异常或器件损坏。
适用于汽车电子系统中的 ESD 保护，如车载信息娱乐系统（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS）中的信号接口保护。
NXP BAT854BHW, NXP BAT854W, ON Semiconductor NUP2105L, STMicroelectronics ESDA6V1W5B, Infineon ESD3V3B1B06
