时间：2025/8/6 11:08:51
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IXFN320N17T2 是一款由 Littelfuse（原 IXYS 公司生产）制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高功率应用设计，例如电源转换、电机控制、逆变器和不间断电源（UPS）系统。该器件采用 TO-247 封装，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和大电流承载能力，非常适合用于高功率密度系统。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (Id)：320A
最大漏源电压 (Vds)：1700V
最大栅源电压 (Vgs)：±20V
导通电阻 (Rds(on))：典型值 17mΩ（最大 22mΩ）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
IXFN320N17T2 具备多项优异的电气和热性能特性。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高耐压能力（1700V）使其适用于高压直流（HVDC）转换和工业电源系统。此外，IXFN320N17T2 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有快速开关速度和低门极电荷（Qg），从而降低开关损耗并提升高频操作性能。
该 MOSFET 还具有良好的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下稳定工作。其封装设计（TO-247）提供了良好的散热性能，适用于需要高功率处理能力的应用场景。此外，IXFN320N17T2 还具备良好的短路耐受能力和抗雪崩能力，提升了器件在极端工况下的可靠性。
IXFN320N17T2 主要用于高功率、高效率的电力电子系统中。典型应用包括工业电源、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、电机驱动器、电焊机、电动汽车充电系统以及高压直流电源转换系统。由于其高耐压和大电流能力，该器件特别适合需要高功率密度和高可靠性的工业和能源管理系统。
IXFN320N17P2, IXFN300N17T2, FF320R17KE4
